首页> 外文期刊>Circuits and Systems II: Express Briefs, IEEE Transactions on >Methodologies for Evaluating and Measuring Capacitance Mismatch in CMOS Integrated Circuits
【24h】

Methodologies for Evaluating and Measuring Capacitance Mismatch in CMOS Integrated Circuits

机译:评估和测量CMOS集成电路中电容不匹配的方法

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

In this brief, two figures of merit and a switched-capacitor filter are used to estimate and measure, respectively, the mismatch between fully integrated capacitors. The theoretical estimations are compared with the experimental results obtained for different layouts fabricated in a test chip using a 0.35- μm CMOS technology.
机译:在本简介中,两个品质因数和一个开关电容器滤波器分别用于估计和测量完全集成电容器之间的失配。将理论估计值与使用0.35-μmCMOS技术在测试芯片中制造的不同布局的实验结果进行比较。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号