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王必本; 王万录; 廖克俊; 肖金龙;
重庆大学应用物理系;
金刚石膜; 粘附力; 内应力; 硅衬底; 化学气相沉积;
机译:利用天线边缘微波等离子体CVD在3C-SiC / Si衬底上异质外延生长金刚石膜
机译:聚合物在异质衬底上纳米晶金刚石膜的CVD生长中的作用
机译:在金刚石(111)衬底上异质外延生长的立方氮化硼(111)膜的结构分析
机译:无阶梯表面异质外延过程中在4H和6H-SiC衬底台面上生长的3C-SiC膜的表征
机译:类金刚石碳膜和金刚石膜的生长和特征:原子氢束的作用和电子场发射的研究。
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:在无台阶表面异质外延过程中在4H-和6H-siC衬底台面上生长的3C-siC薄膜的表征
机译:碳基电子学在sIC上生长石墨和金刚石薄异质外延层
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:通过在SiC衬底上外延生长SiC外延膜来制造碳化硅单晶衬底的方法
机译:在SiC衬底上生长的金刚石体及其相关方法
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