分析β‑SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法

摘要

本发明公开了一种分析β‑SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金基体上沉积SiC过渡层，通过对沉积温度的调控，获得不同表面形貌和组织特性的β‑SiC过渡层；利用热丝化学气相沉积在SiC过渡层表面沉积金刚石薄膜；利用扫描电镜观察样品的表面形貌，利用X射线衍射检测过渡层的组成、晶粒取向及结构变化，利用拉曼光谱表征金刚石薄膜的纯度和内应力的变化，利用微米压痕测试金刚石薄膜的机械性能。所述方法通过研究沉积温度对磁控溅射β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性的影响，低温沉积β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性对金刚石薄膜形核及生长的影响，揭示了β‑SiC过渡层影响金刚石形核及生长的作用机理。