NASA Glenn Research Center, 21000 Brookpark Road, M.S. 77-1, Cleveland, OH 44135, USA;
3C-SiC; cubic-SiC; epitaxial growth; hetero-epitaxy; step-free surface hetero-epitaxy;
机译:在无阶梯4H-SiC台面衬底上生产的3C-SiC和2H-AlN / GaN膜及器件的生长和表征
机译:6H-SiC衬底上Si膜的异质外延和结构表征
机译:LPCVD法控制C面蓝宝石衬底上3C-SiC和6H-SiC膜的生长和表征
机译:使用无台阶表面异质外延在4H和6H-SiC台面上生长无缺陷3C-SiC
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:在3C-SiC(111)/ Si(111)基板上进行ZnO(002)薄膜的RF溅射退火后处理和表征
机译:在无台阶表面异质外延过程中在4H-和6H-siC衬底台面上生长的3C-siC薄膜的表征