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异质栅氧化层石墨烯隧穿场效应管构建反相器

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本文研究了不同结构的石墨烯纳米条带(GNR)隧道场效应晶体管(TFET)应用于反相器的性能.主要是在HSPICE中构建逻辑电路,并且基于Verilog-A模型的查找表进行的,主要比较了高K氧化层石墨烯隧穿场效应管(HKTINV)和异质氧化层石墨烯隧穿场效应管构建反相器(HTINV)的性能.

著录项

来源
《通讯世界》 |2017年第9期|264-265|共2页
作者
孙倩;
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作者单位

南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210003;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
石墨烯隧穿场效应管; 异质氧化层; 反相器;

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