基于石墨烯异质结的隧穿场效应管研究

摘要

为解决现有隧穿场效应管(TFET)开态电流相对较低的问题,设计一种以石墨烯异质结为导电沟道的新型T FET器件.根据石墨烯条带导电性与边缘形状相关这一特性,设计一种带隙可变的石墨烯异质结,用作TFET的导电沟道,调控器件的开关态电流.使用NanoTCAD ViDES仿真软件进行研究,结果表明:新型T FET器件的开态电流达到6.3μA,关态电流达到3.2×10-10 A,亚阈值摆幅降至45.6 mV/dec.相比一般石墨烯材料的TFET,开态电流提升了70％,拥有更好的开关特性.