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牟艳秋;
东北农业大学,理学院,黑龙江,哈尔滨,150030;
PN结; 氧压; 阈值电压; 载流子浓度;
机译:不同氧含量的LaAlO3-δ/ Si异质结的光电性能
机译:通过实验暗和负载I-V特性分析评估薄膜单结a-Si:H和串联μc-Si:H + a-Si:H太阳能电池的转换效率
机译:I-V I-V特征的演变和IBS制备的异质结LBMO / ZnO的照片
机译:硅异质结和叉指背接触式硅异质结太阳能电池的结工程和器件设计
机译:通过在不同温度下使用脉冲I-V方法准确提取WSe2 FET参数
机译:石墨烯氮化硼垂直异质结范德华共振隧穿二极管的I-V特性观察
机译:脉冲激光沉积技术获得的nGaas-nInsb异质结的I-V和C-V特性。
机译:制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译:在低电流条件下绘制不同设备的曲线I-V的模拟界面。
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