一种基于Mg:β‑Ga2O3/NSTO异质结的零功耗日盲紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于Mg:β‑Ga2O3/NSTO异质结的零功耗日盲紫外探测器及其制备方法，具体是指采用激光分子束外延技术在NSTO单晶衬底上沉积一层镁掺杂β‑Ga2O3薄膜，然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在掺镁氧化镓薄膜上沉积一层钛/金薄膜作为透光电极，并采用机械力分别在Ti/Au电极和衬底上压印In电极作为上电极和下电极，制备获得的Mg:β‑Ga2O3/NSTO异质结日盲型紫外探测器件。该异质结器件可工作于0V偏压下，具有零功耗工作的特点。本发明中Mg:β‑Ga2O3薄膜的制备方法具有工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好等优势。该发明制备的零功耗Mg:β‑Ga2O3/NSTO异质结光电探测器在日盲紫外探测领域具有很大的应用前景。