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成彩晶; 丁嘉欣; 张向锋; 赵鸿燕; 鲁正雄; 司俊杰; 孙维国; 桑立雯; 张国义;
中国空空导弹研究院;
北京大学物理系;
太阳光盲紫外探测器; 理想因子; 串联电阻; 外量子效率; 探测率;
机译:背照式Al_(0.42)Ga_(0.58)N / Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n日盲UV光电二极管的电容特性
机译:基于In_(0.42)Al_(0.58)As / In_(0.42)Ga_(0.58)As / In_(0.42)Al_(0.58)的f_(max)= 0.63 THz功率增益截止频率的MHEMT As / GaAs纳米异质结构
机译:Al_(0.40)In_(0.60)Sb / Al_(0.25)In_(0.75)Sb㹆†ãƒƒãƒ— ããã‚çããããææªGa_(1-x)In_xSbé• «ã»§§§§
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
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