Al_(0.40)In_(0.60)Sb/Al_(0.25)In_(0.75)Sbステップãƒãƒƒãƒ•ã‚¡ã‚’用ã„ãŸæ­ªGa_(1-x)In_xSbé‡å­äº•æˆ¸ãƒãƒ£ãƒãƒ«ã®é›»å­è¼¸é€ç‰¹æ€§

摘要

はじめに: 現在の高電子移動度トランジスタ(HEMT)の最高遮断周波数は InGaAs/InAs/InGaAs チャネルを用いた725 GHzである[1]。より一層の高速化を実現する有効な手段の一つに、InAsよりも電子有効質量(m*)が軽く、電子移動度(μ)が高いInSbをチャネルに用いることが挙げられる[2,3]。しかしながら、以前我々が報告したInSb HEMTではシート電子密度(Ns)が1×1012cm-2程度と低かった[3]。最近、我々はμを高く保ちながらNsを増加させるためにGaInSb QWチャネルを用いた研究を進めており、Ns は 2×1012 cm~(-2) 以上に増加することを報告した[4,5]。本研究では、Al_(0.40)In_(0.60)Sb/Al_(0.25)In_(0.75)Sbステップバッファを使用し、Ga_(1-x)In_xSb QWチャネルに加わる歪が電子輸送特性に与える影響を調査した。