一种GaSb_xAs_（1-x）空间电池外延片

摘要

本实用新型公开了一种GaSb_xAs_(1‑x)空间电池外延片，包括Ge衬底，所述Ge衬底上依此设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、GaAs隧穿结层、GaSbAs缓冲层、中电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、顶电池和欧姆接触层，所述GaSbAs缓冲层由五层组分递变GaSb_xAs_(1‑x)缓冲层结构组成，本实用新型通过设置组分递变的GaSb_xAs_(1‑x)缓冲层，新结构GaSb_xAs_(1‑x)缓冲层层数和厚度的减少，将使得电池外延层晶格位错密度降低，提升电池晶格质量，从而减少载流子的非辐射复合，提升电池的光电转化效率。