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彭正夫; 张允强;
不详;
体效应管; 分子束外延; 材料;
机译:非合金和原位欧姆接触通过分子束外延(MBE)生长的用于场效应晶体管的高掺杂n型GaAs层
机译:通过分子束外延(MBE)生长的p-(Znmgte / ZnTe:n)/ cdte / n-(CdTe:i)/ gaas异质结的电性能的影响
机译:通过分子束外延(MBE)在p-Si衬底的粗糙表面上生长n-GaAs层,用于光伏应用
机译:通过分子束外延在(411)上生长的假形调制促进的N-AlgaAs / InGaAs / GaAs量子孔中的电学特性通过分子束外延产生GaAs基材
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:使用石墨生成的二聚体与标准四聚体砷基团-V源的大块mBE(分子束外延)生长的alGaas和Gaas的低温光致发光的比较
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译:分子束外延(MBE)HgCdTe生长的基质
机译:分子束外延(MBE)HGCDTE生长的基板
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