...
机译:通过分子束外延(MBE)生长的p-(Znmgte / ZnTe:n)/ cdte / n-(CdTe:i)/ gaas异质结的电性能的影响
German Jordanian Univ Sch Basic Sci &
Humanities Amman 11180 Jordan;
South Valley Univ Dept Phys Nanomat Lab Fac Sci Qena 83523 Egypt;
German Jordanian Univ Sch Basic Sci &
Humanities Amman 11180 Jordan;
Ain Shams Univ Dept Phys Nanosci &
Semicond Labs Fac Educ Cairo Egypt;
Polish Acad Sci Inst Phys Al Lotnikow 32-46 PL-02668 Warsaw Poland;
p-(ZnMgTe/ZnTe:N)/CdTe/n-(CdTe:I)/GaAs; current-voltage; dark and illumination conditions; heterostructure diode; photovoltaic parameters; device sensitivity;
机译:通过分子束外延(MBE)生长的p-(Znmgte / ZnTe:n)/ cdte / n-(CdTe:i)/ gaas异质结的电性能的影响
机译:通过分子束外延生长的CdTe / ZnTe n-i-p结的电和光伏特性
机译:通过分子束外延生长的CdTe / ZnTe n-i-p结的电和光伏特性
机译:金属有机分子束外延生长掺碘的HgCdTe合金和超晶格的光学和电学性质
机译:分子束外延在InSb衬底上生长的单晶ZnTe / CdTe / MgCdTe双异质结构太阳能电池。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:分子束外延生长的CdTe脱落剂对(211)Ba GaAs衬底的互核空间映射研究
机译:分子束外延(mBE)对HgCdTe缺陷的影响。