MOCVD法生长HgCdTe／CdTe／GaAs多层异质结材料工艺和性能研究

摘要

本文简述MOCVD法生长HgCdTe晶膜的优点。采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/GaAs外延片。研究了生长HgCdTe生长速率与衬底温度的关系,DETe和DMCd源分压对生长速率的影响,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与汞源温度的关系,当汞源温度固定时,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与气体流速V的关系。并采用多种方法分析HgCdTe外延片的表面形貌,结晶性,界面和缺陷,Te、Cd、Hg、Ga、As的截面分布,组份和其均匀性,光电性能等。测得HgCdTe和缓冲层CdTe的FWHM为450弧度秒,界面平坦、清晰,过度层约0.12μm。生长x值为0.1～0.8mol,均匀性△X=0.008。典型样品的性能,在77K电子浓度为1.4×10^(16)cm^(-3),迁移率为7.4×10~4cm^2/v·s,透射率为42％。