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陈记安;
不详;
MOCVD法; HgCdTe; GaAs; 异质材料;
机译:非冷却红外光电探测器HgCdTe异质结构MOCVD生长的研究进展
机译:用于非冷却红外光电探测器的MOCVD HgCdTe异质结构的生长
机译:MOVPE生长MWIR N + P(AS)HGCDTE异质结构光电二极管在GAAS基板上构建的电气特性
机译:在Cdte / Si衬底上生长的Hgcdte的退火和器件表征。
机译:金属-半导体接触对HgCdTe光伏探测器的瞬态光伏特性的影响
机译:MOCVD种植HGCDTE异质结构用于中波红外探测器
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的分子束外延生长,表征和电子器件加工。
机译:具有可控异质结构的HgCdTe p-n P-n二极管,其自定位在HgCdTe上,用于红外成像仪
机译:在CdTe衬底上生长的HgCdTe外延层上生长CdTe外延层的方法
机译:具有CdTe异质结的HgCdTe MIS器件
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