化学汽相沉积

摘要： 全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）系统AIX G5＋C,获商业杂志Compound Semiconductor颁授2016年CS High-Volume Manufacturing Award奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIX G5＋C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,

摘要： 据《中国科学报》报道，1月25日，记者从中科院上海微系统所获悉，该所卢光远和吴天如等科研人员采用化学汽相沉积（CVD）方法，成功在铜镍合金衬底上制备出了单层高质量六方氮化硼（h-BN）单晶畴，其单品面积较之前文献报道的高出约两个数量级。专家认为，该项研究进展为研发晶圆级h—BN、h-BN／石墨烯异质结和超结构奠定了重要实验基础。相关研究成果已发表在《自然-通讯》期刊上。

摘要： 利用一种定制设计的诱导耦合等离子体辅助射频(RF)磁控溅射沉积技术,在玻璃衬底上制备了N掺杂的P型氧化锌( ZnO:N)薄膜体系,并使用了反应Ar+N2混合气体烧结的ZnO靶材.在不同技术条件下制备了不同表面平整度的薄膜体系,并利用扫描隧道显微技术( SEM)和X射线衍射仪(XRD)来分析样品表面,发现了ZnO薄膜颗粒化结晶沿着(002)晶向纵向柱型结构生长.实验结果表明,P型ZnO薄膜的成功制备归因于生长过程中的高密度诱导耦合等离子体源的高分离性和有效的等离子体—表面相互作用机制.

摘要： TiO2 fibers were prepared via alternatively introducing water vapor and Ti precursor carried by N2 to an APCVD(chemical vapor deposition under atmospheric pressure) reactor at ≤200 °C. Activated carbon fibers(ACFs) were used as templates for deposition and later removed by calcinations. The obtained catalysts were characterized by scanning electron microscopy(SEM) ,transmission electron microscopy(TEM) ,Brunauer,Emmett and Teller(BET) and X-ray diffraction(XRD) analysis. The pores within TiO2 fibers included micro-range and meso-range,e.g.,7 nm,and the specific surface areas for TiO2 fibers were 141 m2/g and 148 m2/g for samples deposited at 100 °C and 200 °C(using ACF1700 as template) ,respectively. The deposition temperature significantly influenced TiO2 morphology. The special advantages of this technique for preparing porous nano-material include no consumption of organic solvent in the process and easy control of deposition conditions and speeds.

摘要： An investigation was conducted into the effect of hydrogen dilution on the mi-crostructure and optical properties of silicon nanograins embedded in silicon nitride (Si/SiNx)thin film deposited by the helicon wave plasma-enhanced chemical vapour deposition technique.With Ar-diluted SiH_4 and N_2 as the reactant gas sources in the fabrication of thin film,the filmwas formed at a high deposition rate.There was a high density of defect at the amorphous silicon(a-Si)/SiN_x interface and a relative low optical gap in the film.An addition of hydrogen into thereactant gas reduced the film deposition rate sharply.The silicon nanograins in the SiN_x matrixwere in a crystalline state,and the density of defects at the silicon nanocrystals (nc-Si)/SiN_x inter-face decreased significantly and the optical gap of the films widened.These results suggested thathydrogen activated by the plasma could not only eliminate in the defects between the interfaceof silicon nanograins and SiNx matrix,but also helped the nanograins transform from the amor-phous into crystalline state.By changing the hydrogen dilution ratio in the reactant gas sources,a tunable band gap from 1.87 eV to 3.32 eV was obtained in the Si/SiN_x film.

摘要： The formation of SiC through the interface reaction between C_(60)and Si in a plasma-assisted chemical vapour deposition system(PACVD)is investigated with a C_(60)film previouslydeposited on Si wafers.The composition and structure of the deposited samples were characterizedby micro-Raman spectroscopy and X-ray diffraction(XRD).The results showed that SiC film wasformed successfully in hydrogen plasma at a substrate temperature of 800~C.The hydrogen atomsin plasma were found to enhance the production of SiC.Furthermore,the effects of the addedCH4 on the formation of film were studied.Introduction of CH4 simultaneously with H_2 at thebeginning would suppress the formation of the initial layer of SiC due to a carbon-rich environmenton the substrate,which would be disadvantageous to the further growth of the SiC film.

摘要： 自1947年聚对二甲苯被发现后，人们就对该类聚合物表现出了极大的兴趣并进行了大量的研究。到目前已经发表了很多的关于聚对二甲苯及其特性的论文，但还没有一本这方面的专著。作者编写这本书的目的就是要全面介绍聚对二甲苯和该族聚合物，以及它们的沉积、沉积设备和生成膜的特性。

摘要： 介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法———化学汽相沉积(CVD)法制备SiC薄膜的近年研究进展,并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。

摘要： Raman spectra and scanning electron microscope (SEM) techniques were used to determine the structural properties of microcrystalline silicon (μc-Si:H) films deposited on different substrates with the very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) technique. Using the Raman spectra, the values of crystalline volume fraction Xc and average grain size d are 86%, 12.3nm; 65%, 5.45nm; and 38%, 4.05nm, for single crystalline silicon wafer, corning 7059 glass, and general optical glass substrates, respectively. The SEM images further demonstrate the substrate effect on the film surface roughness. For the single crystalline silicon wafer and Corning 7059 glass, the surfaces of the μc-Si:H films are fairly smooth because of the homogenous growth or little lattice mismatch. But for general optical glass, the surface of the μc-Si:H film is very rough, thus the growing surface roughness affects the crystallization process and determines the average grain size of the deposited material. Moreover, with the measurements of thickness, photo and dark conductivity, photosensitivity and activation energy, the substrate effect on the deposition rate, optical and electrical properties of the μc-Si:H thin films have also been investigated. On the basis of the above results, it can be concluded that the substrates affect the initial growing layers acting as a seed for the formation of a crystalline-like material, and then the deposition rates, optical and electrical properties are also strongly influenced, hence, deposition parameter optimization is the key method that can be used to obtain a good initial growing layer, to realize the deposition of μc-Si:H films with device-grade quality on cheap substrates such as general glass.

摘要： 用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH)作硅源,磷烷(PH)作掺杂气体,Au作催化剂,生长温度440°C.基于气-液-固(VLS)机制我们探讨了掺P硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长Si纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.

摘要： 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角,面内扭转角,横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性。我们将(0001)晶向定义为0度方向。与之垂直的方向为90度方向,分别按0度和90度两个不同方向进行x射线衍射的研究。0度方向和90度方向螺位错密度分别为1.97×1010cm-2,7.193×109cm-2,0度方向螺位错密度较大；0度和90度方向刃位错密度分别为3.23999×1010cm-2,7.35068×1010cm-2,90度方向刃位错密度较大。两个方向位错密度的差异显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。

摘要： 用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2 隔离层，制备成SOI衬底，用快速化学汽相沉积（RTCVD）法在此衬底上制备硅薄膜，热扩散形成PN 结制备太阳电池。电池电极采用四周型和叉指型两种类型全部由正面引出。理论分析计算了两种电极引出的电池的串联电阻；并给出了实际电池的I-V 测试结果，比较了光谱响应的结果。表明叉指型电极引出方式制备的电池性能比四周型的略好。

摘要： 通过热丝化学汽相沉积(CVD)技术工艺在Si(100)基底上制备的金刚石膜,使用美国ORTEC公司制造的正电子湮没寿命谱仪进行了测量分析,并采用PATFIT-88程序作了解谱计算.研究发现,在金刚石膜中微观缺陷的产生取决于薄膜生长过程的控制和基底表面局域生长环境的条件差异,3种寿命成分揭示了金刚石膜中存在的不同的结构状态.

摘要： 化学汽相沉积(CVD)是一种近年来兴起的薄膜生长技术,在现代物理科学技术的发展中扮演着重要的角色,掌握其原理与技术对学习近代物理学具有重要意义.我们在参考国外同类实验的基础上,设计研制了适合大学物理教学的CVD实验装置,它具有结构简单、成本低、安全可靠的特点,在过去的教学实践中取得了良好的教学效果.

摘要： 化学汽相沉积(CVD)是一种近年来兴起的薄膜生长技术,在现代物理科学技术的发展中扮演着重要的角色,掌握其原理与技术对学习近代物理学具有重要意义.我们在参考国外同类实验的基础上,设计研制了适合大学物理教学的CVD实验装置,它具有结构简单、成本低、安全可靠的特点,在过去的教学实践中取得了良好的教学效果.

摘要： 共形光学的应用将提高系统的特点,但是需要非传统的设计、制造、检测以及装配等技术的发展.本文介绍一种化学汽相沉积(CVD)制备ZnS共形整流罩的方法.将ZnS沉积在CVD沉积腔中的"阳模"上,通过整流罩内表面精密复制得到近似形状样品,而无须内表面加工,然后用金刚石车床进行外表面光学加工.文中所描述的制备技术展示了制造与导弹弹体外形共形的空气动力整流罩的可行性.这种整流罩通过显著降低导弹阻力而增强导弹的性能.文中还阐述了ZnS整流罩精密复制中模具材料选择和整流罩从"阳模"顺利脱离的膜层的镀制等关键技术.

摘要： 藉由分析觸媒及奈米綫之結構與組成,詳細探討合成氧化矽奈米綫的固-液-固成長機制.與一般化學汽相沉積法不同的是,矽的來源直接由矽基板提供固態矽源.首先在矽基板上濺鍍上一層很薄(～5nm)的白金觸媒層.在升温過程中,白金薄膜會分裂形成直徑爲數百奈米大小的觸媒球.掃描式電子顯微鏡及穿透式電子顯微鏡的分析結果顯示,這些觸媒球的組成爲Pt3Si,并可作爲奈米綫成長的孕核點.在高達1100°CC的制程温度及5h的持温之下,矽基板氧化成爲氧化矽并藉由擴散溶解到觸媒球中,直到館和點而后析出成爲氧化矽的奈米綫.這些奈米綫爲非晶結構,直徑爲40～60nm,長度爲數百微米。

摘要： 藉由分析觸媒及奈米綫之結構與組成,詳細探討合成氧化矽奈米綫的固-液-固成長機制.與一般化學汽相沉積法不同的是,矽的來源直接由矽基板提供固態矽源.首先在矽基板上濺鍍上一層很薄(～5nm)的白金觸媒層.在升温過程中,白金薄膜會分裂形成直徑爲數百奈米大小的觸媒球.掃描式電子顯微鏡及穿透式電子顯微鏡的分析結果顯示,這些觸媒球的組成爲Pt3Si,并可作爲奈米綫成長的孕核點.在高達1100°CC的制程温度及5h的持温之下,矽基板氧化成爲氧化矽并藉由擴散溶解到觸媒球中,直到館和點而后析出成爲氧化矽的奈米綫.這些奈米綫爲非晶結構,直徑爲40～60nm,長度爲數百微米。

摘要： 藉由分析觸媒及奈米綫之結構與組成,詳細探討合成氧化矽奈米綫的固-液-固成長機制.與一般化學汽相沉積法不同的是,矽的來源直接由矽基板提供固態矽源.首先在矽基板上濺鍍上一層很薄(～5nm)的白金觸媒層.在升温過程中,白金薄膜會分裂形成直徑爲數百奈米大小的觸媒球.掃描式電子顯微鏡及穿透式電子顯微鏡的分析結果顯示,這些觸媒球的組成爲Pt3Si,并可作爲奈米綫成長的孕核點.在高達1100°CC的制程温度及5h的持温之下,矽基板氧化成爲氧化矽并藉由擴散溶解到觸媒球中,直到館和點而后析出成爲氧化矽的奈米綫.這些奈米綫爲非晶結構,直徑爲40～60nm,長度爲數百微米。

摘要： 一种利用两种不同的真空沉积工艺把至少两种不同层的薄膜材料真空沉积到基底上的设备和方法。还公开了一种新颖的直线式涂敷器，该涂敷器应用微波强化的CVD把薄膜材料均匀地沉积在整个加长的基底上。

摘要： 一种用于物理汽相沉积(PVD)系统的阴极组件包括：靶标架和厚度检测器。靶标架用于保持靶标，其中，靶标具有第一主表面和第二主表面。第一主表面和第二主表面分别位于靶标架的近端和远端。厚度检测器设置在靶标架上。第一主表面的至少一部分暴露于厚度检测器，以允许厚度检测器通过第一主表面检测靶标的厚度。本发明还涉及阴极组件、物理汽相沉积系统和用于物理汽相沉积的方法。

摘要： 本申请的目的是提供一种汽相沉积用组合物的生产方法，并提供一种汽相沉积用组合物，它即便靠低温汽相沉积也能在基材上形成高折射层，因而确保了抗反射膜具有良好的耐划伤性、良好的耐化学性和良好的耐热性，且其耐热性随时间降低很少；以及提供一种带有这种抗反射膜的光学元件的生产方法。通过提供一种汽相沉积用组合物的生产方法，该方法包括烧结由含有二氧化钛和五氧化二铌的蒸汽源混合而成的蒸汽源混合物；提供一种含有二氧化钛和五氧化二铌的汽相沉积用组合物；以及提供一种带有抗反射膜的光学元件的生产方法，该方法包括汽化汽相沉积用组合物，并将产生的蒸汽沉积在基材上以在其上形成抗反射膜的高折射层，从而达到了本发明的目的。

摘要： 本发明涉及用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或者铱化合物薄膜的化学气相沉积用原料，该化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的铱配合物构成。本发明中应用的铱配合物即使在应用氢等还原性气体的情况下也可以制造铱薄膜。(式中，环丙烯基配体的取代基R1～R3各自独立地为氢、或者碳数1以上4以下的直链状或支链状的烷基)。

摘要： 一种利用两种不同的真空沉积工艺把至少两种不同层的薄膜材料真空沉积到基底上的设备和方法。还公开了一种新颖的直线式涂敷器,该涂敷器应用微波强化的CVD把薄膜材料均匀地沉积在整个加长的基底上。

摘要： 一种用于物理汽相沉积(PVD)系统的阴极组件包括：靶标架和厚度检测器。靶标架用于保持靶标，其中，靶标具有第一主表面和第二主表面。第一主表面和第二主表面分别位于靶标架的近端和远端。厚度检测器设置在靶标架上。第一主表面的至少一部分暴露于厚度检测器，以允许厚度检测器通过第一主表面检测靶标的厚度。本发明还涉及阴极组件、物理汽相沉积系统和用于物理汽相沉积的方法。

摘要： 提供一种汽相沉积系统，它包括汽相沉积源、用于保持衬底的保持装置、移动装置，以及具有开口的开口元件，该移动装置在与包含衬底的平面平行的平面内一个方向上移动衬底、汽相沉积源，以及开口元件的至少一个，并且该开口元件布置在汽相沉积源和衬底之间，并且具有这样的开口，在移动方向上的在开口中心处的宽度小于在开口端部处的宽度。在该系统中，沿着作为与移动方向相交的方向的平面内一个方向布置多个汽相沉积源，并且开口元件具有多个开口，每个独立地布置，以便对应于多个汽相沉积源的每个。

摘要： 本申请的目的是提供一种汽相沉积用组合物的生产方法,并提供一种汽相沉积用组合物,它即便靠低温汽相沉积也能在基材上形成高折射层,因而确保了抗反射膜具有良好的耐划伤性、良好的耐化学性和良好的耐热性,且其耐热性随时间降低很少;以及提供一种带有这种抗反射膜的光学元件的生产方法。通过提供一种汽相沉积用组合物的生产方法,该方法包括烧结由含有二氧化钛和五氧化二铌的蒸汽源混合而成的蒸汽源混合物;提供一种含有二氧化钛和五氧化二铌的汽相沉积用组合物;以及提供一种带有抗反射膜的光学元件的生产方法,该方法包括汽化汽相沉积用组合物,并将产生的蒸汽沉积在基材上以在其上形成抗反射膜的高折射层,从而达到了本发明的目的。

摘要： 本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置，它包括一种水平管式反应器，配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分，其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧，这样改变气流方向为倾斜向下的方向，或使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。本发明还公开了一种使用该装置的化学汽相沉积方法。这样，即使在大尺寸基片，或多个基片同时，或在高温下进行化学汽相沉积的情况下，可得到一种具有良好结晶度的均匀半导体膜。

摘要： 本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置,它包括一种水平管式反应器,配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分,其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧,这样改变气流方向为倾斜向下的方向,或使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。本发明还公开了一种使用该装置的化学汽相沉积方法。这样,即使在大尺寸基片,或多个基片同时,或在高温下进行化学汽相沉积的情况下,可得到一种具有良好结晶度的均匀半导体膜。