意法半导体等利用65 nm晶圆分析TSV对CMOS电路的影响

摘要

正法国CEA-LETI公司、法国萨瓦大学(Universite de Savoie)及意法半导体(STMicroelectronics)共同分析了在带有65 nm工艺CMOS电路的硅晶圆上形成TSV(硅贯通孔)时,TSV对CMOS电路特性的影响。以利用单一MOSFET以及101个逆变器电路构成的环形振荡器电路为对象,调查了形成TSV时所带来的热机械性(Thermo-Mechanical)影响和电气性影响。此为首次在实验水平上