TSV

摘要： 实现同步整流能够有效提高次级整流效率,并且有利于实现电源模块的小型化。将同步整流器中的控制电路和整流桥分别制作在两层芯片上,然后堆叠两层芯片并通过TSV实现层间信号互连,不仅能进一步提高集成度,还能有效降低引线延迟和功耗。设计了一种大功率同步整流器,仿真实现了输出电压为5V、最大输出电流为13.38A、输出电压和输出电流的温度系数分别为37.289ppm和37.266ppm、负载调整率为7.96mV/A。根据大功率同步整流器电路的功能、规模以及热稳定性等因素,合理规划布局,将四个整流器件规划在整流芯片上、控制电路和高压降压电路以及开关电路规划在控制芯片上,配以相应的信号互连TSV和散热TSV,设计了三维集成大功率同步整流器的版图,对两层芯片以及三维堆叠芯片进行了DRC、LVS以及三维电气互连验证,验证结果正确。

摘要： 基于硅通孔TSV(Through Silicon Vias)的星载微系统,通过硬件框架设计、TSV关键工艺设计、CPS仿真设计、全流程测试及可靠性研究,最终在全国产化高温共烧陶瓷HTCC(High-Temperature Co-fired Ceramics)管壳内集成了抗辐照海量信息处理器、抗辐照大容量存储器、抗辐照微控制器、抗辐照38译码器等器件,形成43 mm×43 mm×5.65 mm的气密性封装星载微系统,具备高可靠、高性能的处理能力以及星上常用的控制和通讯接口,可用于星上载荷信息实时处理及星务平台控制管理,可以有效替代现有的板级产品,实现星载电子系统的小型化、集成化。

摘要： 对硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术的可靠性进行了综述,主要分为三个方面:热应力,工艺和压阻效应.TSV热应力可靠性问题体现在不同材料之间的热膨胀系数差异较大,过大的热应力可能导致界面分层和裂纹;TSV工艺可靠性体现在侧壁的连续性以及填充铜的质量;有源区中载流子的迁移率会受到TSV热应力的影响.在TSV周围规定一个保持区域(Keep-Out Zone,KOZ).KOZ设置为载流子迁移率不超过5％的区域.当载流子迁移率超过5％,可能会导致电路的时序被破坏,使集成电路失效.

摘要： 随着微系统技术向三维立体集成不断发展,Interposer技术逐渐成为关注的焦点,是未来电子系统小型化和多功能化的重要技术途径,具有广阔的应用市场和发展前景.关于Interposer的测试技术研究也提上发展日程.对目前Interposer测试技术的研究现状和发展趋势进行了综述,重点总结了研究机构在Interposer测试技术领域的研究现状,并对技术发展趋势做了简单展望.

摘要： 利用ANSYS HFSS软件建立硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的信号-地(S-G)结构模型,在不同TSV的结构参数下对TSV信号的传输特性进行研究,将传输模型的插入损耗S21作为传输性能好坏的判断标准.结果表明:TSV的传输性能与TSV的半径、TSV的高度以及填充金属的表面积有关,与体积无关,即金属材料的填充率对插入损耗几乎没有影响.

摘要： 介绍了雷达微波组件高频多层电路制造技术,重点阐述了传统陶瓷基多层电路及TSV多层电路两种工艺.传统陶瓷基高频多层电路主要包括纯陶瓷基材薄膜多层基板、LTCC(低温共烧陶瓷)、HTCC(高温共烧陶瓷)等类型.通过溅射、光刻和电镀等薄膜工艺或者冲孔、印刷和烧结等厚膜工艺,陶瓷基多层电路将无源器件和传输线等高密度集成,应用于先进的微波组件.TSV多层电路则能够用于实现超高集成度的三维片式组件.通过多层电路基板制造工艺的探讨,可为雷达微波组件的研制和生产提供一定的借鉴.

摘要： 硅通孔技术是三维集成电路实现层间垂直互连的关键,使三维集成电路具有连线短、尺寸小、功耗低、可异构等优点。作为三维集成电路中互连的硅通孔,其寄生参数的提取将直接影响到集成电路功耗,时延,噪声等方面的性能,因此硅通孔寄生参数提取对高性能芯片的成功设计具有十分重要意义。本文以高面率比圆柱硅通孔为研究对象,通过对不同尺寸参数下的圆柱硅通孔进行仿真,得到其电阻参数值,使用电磁场理论、曲线拟合方法,推导出高精度的电阻参数提取解析式。解析式可快速准确计算硅通孔的电阻参数值,大大提高了参数提取效率。

摘要： 本文基于MEMS工艺设计并流片一款小型化P波段LC滤波器,该滤波器基于硅通孔(TSV)技术,并采用双层硅片Au-Au键合工艺制作。LC谐振电路的电感元件设计成立体螺旋电感并集成在上层硅片中,电容元件采用SiN薄膜电容并设计在下层硅片上。通过三维电磁场仿真工具对三维电路模型进行仿真设计。文中设计了一款中心频率750MHz,1dB带宽大于400MHz,矩形系数K30/1小于2的硅基立体电感LC滤波器。测试结果与仿真设计吻合度较高,证明文中的硅基立体电感LC滤波器设计方案可行。

摘要： 本发明公开了一种基于TSV垂直开关的可调磁芯TSV电感器，包括硅基板，所述硅基板的上表面设置有上二氧化硅基板，硅基板的下表面设置有下二氧化硅基板，所述上二氧化硅基板中嵌装有上回字形磁芯，下二氧化硅基板中嵌装有下回字形磁芯，所述上回字形磁芯和所述下回字形磁芯形成的四组对应侧边之间依次设置有控制电感Lctrl、电感L1、电感L2和电感L3，其中电感L1的输出端与电感L2的输入端连接，电感L2的输出端与电感L3的输入端连接；上回字形磁芯和下回字形磁芯中设置有TSV垂直开关，TSV垂直开关的源极与电感L1的输出端连接，TSV垂直开关的漏极与电感L3的输入端连接。

摘要： 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种半导体TSV结构的制造工艺方法及其半导体TSV结构，该方法包括：在硅片正面刻蚀正面环状间隙，所述正面环状间隙包括内壁、外壁，所述外壁或所述内壁包括一个以上的由上至下向相对侧壁的方向凸起的结构，所述环状间隙包围的硅片部分作为导电结构；在所述正面环状间隙的内壁和外壁生长绝缘层，由于利用刻蚀大间隙的槽的刻蚀深度来刻蚀形成带凸起结构的环状间隙，不仅可以降低单独刻蚀小间隙槽中深度比限制的难度，而且可以利用形成的小间隙槽来减小深孔填充的难度，在提高刻蚀效率的同时也提高了填充效率，进而提高半导体TSV结构的加工效率。

摘要： 本发明公开了一种TSV蜂窝单环容错结构及容错方法、TSV蜂窝多环容错结构，TSV蜂窝单环容错结构分为上层Die2和下层Die1，下层Die1包含Routing路由模块，上层包括Rerouting路由模块；Routing路由模块与Rerouting路由模块间通过TSV蜂窝单环进行信号的传递，其中，TSV蜂窝单环由六个信号TSV组成，六个信号TSV呈六边形排列，位于六边形的六个顶点上；Routing路由模块的第i个输出端与第i个信号TSV、第(i+1)个信号TSV的输入端连接，第i个信号TSV、第(i+1)个信号TSV的输出端与Rerouting路由模块的第i个输入端连接，i为取值为0至5的整数，当i取值为5时，i+1的取值为1。在多个不连续的故障TSV的情况下正常工作。当最后一根TSV出现故障的时候，可以找到为其路由的TSV传输。

摘要： 本发明提供一种TSV通孔的制作工艺方法，包括下述步骤：提供一晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层；在晶圆表面进行光刻和刻蚀工艺，对阻挡层移除部分不做TSV的区域，使TSV区域处形成阻挡层凸点；通过光刻和刻蚀工艺，使得晶圆表面形成有RDL线槽的形貌；在晶圆表面沉积绝缘层；在晶圆表面绝缘层上制作金属层，在RDL线槽中形成金属RDL；在晶圆表面金属层上面沉积保护层；对晶圆表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点上方的保护层、金属层和绝缘层；对晶圆表面TSV区域剩余的阻挡层凸点材料进行移除，露出晶圆材质；对晶圆表面进行干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的TSV区域被刻蚀形成盲孔；对晶圆背面进行减薄工艺，使得盲孔底部打开，形成TSV通孔。

摘要： 本发明描述一种设备，其包含用于使经堆叠芯片互连的贯穿衬底通孔TSV。根据实施例的所述设备包含：多个第一选择线，其各自在第一方向上延伸；多个第二选择线，其各自在第二方向上延伸以与所述多个第一选择线交叉；及多个TSV单元，其分别经安置于所述多个第一选择线与所述多个第二选择线的相交点中。所述多个TSV单元的每一TSV单元包含：TSV；开关，其经耦合到所述TSV；及选择电路。所述选择电路经配置以响应于所述多个第一选择线中的相关联者及所述多个第二选择线中的相关联者中的每一者被设置为作用电平而控制所述开关的开关状态。

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种TSV结构及TSV电镀工艺。本发明的TSV结构包括硅片，所述硅片上设置有通孔，所述通孔内电镀填充有TSV金属，所述TSV金属露头部分与硅片的上表面和下表面齐平，所述硅片的表面沉积有钝化层，所述硅片两侧的钝化层上设置有种子层，所述钝化层为绝缘层或氧化层。本发明在硅片和载片的表面制作种子层，然后把硅片和载片临时键合在一起，通过在硅片边缘种子层表面施加电流的方式使电流直接通到TSV盲孔的底部，实现电镀从底部开始的目的，由于TSV盲孔所在区域的硅片侧壁和开口区域只设置钝化层，不设置种子层，在电镀TSV金属的过程中不会出现开口封闭的问题，可以使用更大的电流实现更深TSV孔的电镀，从而提高电镀效率。

摘要： 本发明公开了一种TSV蜂窝单环容错结构及容错方法、TSV蜂窝多环容错结构，TSV蜂窝单环容错结构分为上层Die2和下层Die1，下层Die1包含Routing路由模块，上层包括Rerouting路由模块；Routing路由模块与Rerouting路由模块间通过TSV蜂窝单环进行信号的传递，其中，TSV蜂窝单环由六个信号TSV组成，六个信号TSV呈六边形排列，位于六边形的六个顶点上；Routing路由模块的第i个输出端与第i个信号TSV、第(i+1)个信号TSV的输入端连接，第i个信号TSV、第(i+1)个信号TSV的输出端与Rerouting路由模块的第i个输入端连接，i为取值为0至5的整数，当i取值为5时，i+1的取值为1。在多个不连续的故障TSV的情况下正常工作。当最后一根TSV出现故障的时候，可以找到为其路由的TSV传输。

摘要： 本发明提供了一种TSV结构及TSV露头方法。该TSV结构包括：衬底；TSV导电柱，贯穿于衬底正面和衬底背面设置，且TSV导电柱具有延伸出衬底背面的露头部分；光敏性有机绝缘层，覆盖于衬底背面并包裹露头部分，光敏性有机绝缘层具有远离衬底背面的第一表面，且光敏性有机绝缘层中具有由第一表面向TSV导电柱延伸的通孔。由于上述TSV结构中采用光敏性有机绝缘层替代了现有技术中的SiO

摘要： 本发明公开了一种基于TSV垂直开关的可调磁芯TSV电感器，包括硅基板，所述硅基板的上表面设置有上二氧化硅基板，硅基板的下表面设置有下二氧化硅基板，所述上二氧化硅基板中嵌装有上回字形磁芯，下二氧化硅基板中嵌装有下回字形磁芯，所述上回字形磁芯和所述下回字形磁芯形成的四组对应侧边之间依次设置有控制电感Lctrl、电感L1、电感L2和电感L3，其中电感L1的输出端与电感L2的输入端连接，电感L2的输出端与电感L3的输入端连接；上回字形磁芯和下回字形磁芯中设置有TSV垂直开关，TSV垂直开关的源极与电感L1的输出端连接，TSV垂直开关的漏极与电感L3的输入端连接。

摘要： 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种半导体TSV结构的制造工艺方法及其半导体TSV结构，该方法包括：在硅片正面刻蚀正面环状间隙，所述正面环状间隙包括内壁、外壁，所述外壁或所述内壁包括一个以上的由上至下向相对侧壁的方向凸起的结构，所述环状间隙包围的硅片部分作为导电结构；在所述正面环状间隙的内壁和外壁生长绝缘层，由于利用刻蚀大间隙的槽的刻蚀深度来刻蚀形成带凸起结构的环状间隙，不仅可以降低单独刻蚀小间隙槽中深度比限制的难度，而且可以利用形成的小间隙槽来减小深孔填充的难度，在提高刻蚀效率的同时也提高了填充效率，进而提高半导体TSV结构的加工效率。