大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器

摘要

采用MOCVD技术在φ40mmGaAs衬底上研制成大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器。该激光器激射波长为830～870nm,室温CW阈值电流密度小于350A/cm^2,最低值为310A/cm^2,输出光功率大于200mW/(单面,未镀膜)。