高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

摘要

通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测，在老化初期（前520h），阈值电流随老化时间的延长而下降，下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出，器件的输出光功率在老化初期有所上升，随后，表现出按指数规律缓慢下降的行为。初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力。