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李长英; 张长信; 郭韵; 赵鹏涛;
西北大学物理系激光教研室;
单量子阱 GaAs/GaAlAs 双区共腔 双稳特性 双稳激光器 温度特性曲线 使用寿命 开关效应 光电子器件 光通信系统;
机译:具有应变有源层的条形量子阱InGaAs / GaAs / GaAlAs异质激光器的功率迟滞和波导双稳性
机译:屏障宽度对双Gaalas / GaAs和GaInas / GaAs量子阱的电子特性的影响
机译:InGaAs-GaAs量子阱激光器与单区集成腔内电吸收调制器的选择性区域MOCVD
机译:InGaAs / GaAs量子阱激光器与单区集成腔内电吸收调制器的选择性区域MOCVD
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:导带非共抛物对GaAs / Ga1-xAlxAs双半V形量子阱中非线性光学性质的影响
机译:量子线效应降低半导体激光器的光谱线宽—强磁场中GaAlAs双异质结构激光器的光谱特性
机译:采用molecularBeam外延再生的InGaas-Gaas量子阱垂直腔面发射激光器
机译:单纵模GaAs / GaAlAs双异质结构激光器
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:GaAs / GaAlAs异质结双极集成电路器件
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