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Reduction of the spectral linewidth of semiconductor lasers with quantum wire effects—Spectral properties of GaAlAs double heterostructure lasers in high magnetic fields

机译:量子线效应降低半导体激光器的光谱线宽—强磁场中GaAlAs双异质结构激光器的光谱特性

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摘要

The spectral linewidth of a GaAlAs double heterostructure laser placed in a high magnetic field is measured at 190 K. It is found that the power-dependent spectral linewidth is reduced by a factor of 0.6 in a magnetic field of 19 T. This reduction is believed to result mainly from the reduction of the linewidth enhancement factor alpha due to a quasi-one-dimensional electronic system formed by the high magnetic field (i.e., by quantum wire effects).
机译:在190 K下测量置于高磁场中的GaAlAs双异质结构激光器的光谱线宽。发现在19 T的磁场中,与功率相关的光谱线宽减少了0.6倍。这主要是由于高磁场(即量子线效应)形成的准一维电子系统而导致线宽增强因子α减小。

著录项

  • 作者单位
  • 年度 1986
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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