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陈刚; 王迅;
复亘大学应用表面物理国家重点实验室;
高介电常数材料; 栅极电介质; 集成度; MOS器件;
机译:基于铪的高k电介质栅极堆叠(GS)栅极材料工程设计(GME)连接无线纳米管MOSFET用于数字应用
机译:分级通道栅极堆叠的表面电位建模(GCG)高k电介质双材料双栅极(DMDG)MOSFET和模拟/射频性能研究
机译:Ta栅极MOS器件中栅极金属与栅极电介质的化学反应问题:Ta和SiO / sub 2 /之间插入的自密封势垒结构的影响
机译:Hafina栅极电介质最佳ALD氧化锆的MOS晶体管栅极堆叠材料特性和可靠性表征的比较研究
机译:对用于下一代MOS栅极电介质的氧化锆和氮结合的氧化锆的电气,材料和可靠性特性以及工艺可行性的评估。
机译:以天然有机材料为栅极电介质和半导体层的双极性逆变器
机译:具有原子层沉积ZrO2AS栅极电介质的化学气相沉积单层MOS2TOP栅极MOSFET
机译:用于mOsFET器件应用的半导体替代栅极电介质
机译:(通过电流通过栅极电介质进行电化学处理的栅极叠层技术)用于电沉积导电或半导电材料或其他材料的方法,将栅极金属沉积在栅极电介质上
机译:用于镶嵌栅极MOS晶体管的电介质前驱体材料的化学沉积
机译:用于镶嵌栅极MOS晶体管的电介质前驱体材料的增强化学沉积
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