机译:以原子层沉积的ZrO_2作为栅极电介质的化学气相沉积单层MoS2顶栅MOSFET
机译:以原子层沉积的Al2O3作为栅极电介质的GaN MOSFET的研究
机译:使用原子层沉积的HfO_2作为栅极电介质的GaN MOSFET中的漏极电流增强和可忽略的电流崩塌
机译:用于N通道GaAs MOSFET的原子层沉积Hfalo栅极电介质的界面和电性能
机译:用于深亚微米MOSFET技术的快速热化学气相沉积侧壁间隔电介质。
机译:使用低压化学气相沉积的Si3N4介电层改善介电电润湿微流体器件的介电性能
机译:大卫·罗伯特·克拉克(David Robert Clark)将冷壁低压化学气相沉积氮化硅用作场效应晶体管的底栅电介质。
机译:用于双栅极亚100nm mOsFET的快速热化学气相沉积