一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

摘要

异质结晶体三极管(HBT)的性能与其材料体系密不可分,利用能带工程可以大大优化器件的结构,提高器件性能.文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手,介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能,分析了该器件与其他材料体系器件相比所具有的优异特性,说明了对HBT的各区材料,其带边的相对位置所起的重要作用.最后,文章还报道了近期的实验情况,说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致.