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Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International
Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International
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San Francisco, CA
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1.
Abrupt junction InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolartransistors with F
T
as high as 250 GHz andBV
CEO
机译:
突变结InP / GaAsSb / InP双异质结双极F
T sub>高达250 GHz的晶体管BV
CEO sub 6 V
作者:
Dvorak M.W.
;
Pitts O.J.
;
Watkins S.P.
;
Bolognesi C.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
2.
High density, low parasitic direct integration by fluidic selfassembly (FSA)
机译:
通过流体自身实现高密度,低寄生直接积分组装(FSA)
作者:
Smith J.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
3.
Extending gate dielectric scaling limit by NO oxynitride: designand process issues for sub-100 nm technology
机译:
通过NO氮氧化物扩展栅极介电比例缩放极限:设计100 nm以下技术的工艺和工艺问题
作者:
Fujiwara M.
;
Takayanagi M.
;
Shimizu T.
;
Toyoshima Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
4.
Process design methodology for via-shape-controlled, copperdual-damascene interconnects in low-k organic film
机译:
通孔形状控制的铜的工艺设计方法低k有机膜中的双大马士革互连
作者:
Kinoshita K.
;
Tada M.
;
Usami T.
;
Hiroi M.
;
Tonegawa T.
;
Shiba K.
;
Onodera T.
;
Tagami M.
;
Saitoh S.
;
Hayashi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
5.
V
th
fluctuation induced by statistical variation ofpocket dopant profile
机译:
V
th sub>的波动是由口袋掺杂剂轮廓
作者:
Tanaka T.
;
Usuki T.
;
Futatsugi T.
;
Momiyama Y.
;
Sugii T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
6.
Quantum effects in MOSFETs: use of an effective potential in 3DMonte Carlo simulation of ultra-short channel devices
机译:
MOSFET中的量子效应:在3D中使用有效电势超短通道设备的蒙特卡洛模拟
作者:
Ferry D.K.
;
Akis R.
;
Vasileska D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
7.
Single-electron pass-transistor logic: operation of its elementalcircuit
机译:
单电子传输晶体管逻辑:其基本操作电路
作者:
Ono Y.
;
Takahashi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
8.
Engineering variations: towards practical single-electron(few-electron) memory
机译:
工程上的变化:朝向实用的单电子(少量电子)记忆
作者:
Ishii T.
;
Osabe T.
;
Mine T.
;
Murai F.
;
Yano K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
9.
Non-volatile Si quantum memory with self-aligned doubly-stackeddots
机译:
具有自对准双堆叠的非易失性Si量子存储器点
作者:
Ohba R.
;
Sugiyama N.
;
Uchida K.
;
Koga J.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
10.
Dynamic threshold voltage damascene metal gate MOSFET (DT-DMG-MOS)with low threshold voltage, high drive current, and uniform electricalcharacteristics
机译:
动态阈值电压镶嵌金属栅极MOSFET(DT-DMG-MOS)具有低阈值电压,高驱动电流和均匀电特点
作者:
Yagishita A.
;
Saito T.
;
Inumiya S.
;
Matsuo K.
;
Tsunashima Y.
;
Suguro K.
;
Arikado T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
11.
RLC signal integrity analysis of high-speed global interconnectsCMOS
机译:
高速全局互连的RLC信号完整性分析CMOS
作者:
Xuejue Huang
;
Yu Cao
;
Sylvester D.
;
Shen Lin
;
King T.-J.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
12.
MOS characteristics of ultra thin rapid thermal CVD ZrO
2
and Zr silicate gate dielectrics
机译:
超薄快速热CVD ZrO
2 sub>的MOS特性和Zr硅酸盐栅极电介质
作者:
Lee C.H.
;
Luan H.F.
;
Bai W.P.
;
Lee S.J.
;
Jeon T.S.
;
Senzaki Y.
;
Roberts D.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
13.
High quality ultra thin CVD HfO
2
gate stack with poly-Sigate electrode
机译:
具有多晶硅的高质量超薄CVD HfO
2 sub>栅堆叠栅电极
作者:
Lee S.J.
;
Luan H.F.
;
Bai W.P.
;
Lee C.H.
;
Jeon T.S.
;
Senzaki Y.
;
Roberts D.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
14.
Characteristics of TaN gate MOSFET with ultrathin hafnium oxide (8Å-12 Å)
机译:
超薄氧化Ta TaN栅极MOSFET的特性(8Å-12Å)
作者:
Byoung Hun Lee
;
Choi R.
;
Kang L.
;
Gopalan S.
;
Nieh R.
;
Onishi K.
;
Jeon Y.
;
Wen-Jie Qi
;
Kang C.
;
Lee J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
15.
Novel high drain breakdown voltage AlGaN/GaN HFETs using selectivethermal oxidation process
机译:
使用选择性的新型高漏极击穿电压AlGaN / GaN HFET热氧化过程
作者:
Masato H.
;
Ikeda Y.
;
Matsuno T.
;
Inoue K.
;
Nishii K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
16.
The equivalence of van der Ziel and BSIM4 models in modeling theinduced gate noise of MOSFETs
机译:
van der Ziel和BSIM4模型在模型建模中的等效性MOSFET引起的栅极噪声
作者:
Jung-Suk Goo
;
Liu W.
;
Chang-Hoon Choi
;
Green K.R.
;
Zhiping Yu
;
Lee T.H.
;
Dutton R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
17.
Device and technology requirements for next generationcommunications systems
机译:
下一代设备和技术要求通讯系统
作者:
Larson L.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
18.
MOSFET devices with polysilicon on single-layer HfO
2
high-K dielectrics
机译:
在单层HfO
2 sub>上具有多晶硅的MOSFET器件高介电常数
作者:
Kang L.
;
Onishi K.
;
Jeon Y.
;
Byoung Hun Lee
;
Kang C.
;
Wen-Jie Qi
;
Nieh R.
;
Gopalan S.
;
Choi R.
;
Lee J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
19.
Valence-band tunneling enhanced hot carrier degradation inultrathin oxide nMOSFETs
机译:
价带隧穿增强了热载流子的降解超薄氧化物nMOSFET
作者:
Tsai C.W.
;
Gu S.H.
;
Chiang L.P.
;
Wang T.
;
Liu Y.C.
;
Huang L.S.
;
Wang M.C.
;
Hsia L.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
20.
An orthogonal 6F2 trench-sidewall vertical device cellfor 4 Gb/16 Gb DRAM
机译:
正交的6F 2 sup>沟槽侧壁垂直器件单元用于4 Gb / 16 Gb DRAM
作者:
Radens C.J.
;
Kudelka S.
;
Nesbit L.
;
Malik R.
;
Dyer T.
;
Dubuc C.
;
Joseph T.
;
Seitz M.
;
Clevenger L.
;
Arnold N.
;
Mandelman J.
;
Divakaruni R.
;
Casarotto D.
;
Lea D.
;
Jaiprakash V.C.
;
Sim J.
;
Faltermeier J.
;
Low K.
;
Strane J.
;
Halle S.
;
Ye Q.
;
Bukofsky S.
;
Gruening U.
;
Schloesser T.
;
Bronner G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
21.
Laser thermal annealed SSR well prior to epi-channel growth (LASPE)for 70 nm nFETS
机译:
激光热退火SSR早于外延通道生长(LASPE)用于70 nm nFET
作者:
Jung-Ho Lee
;
Jeongyoub Lee
;
Somit Talwar
;
Yun Wang
;
Daehee Weon
;
Seungho Hahn
;
Changyong Kang
;
Taeeun Hong
;
Younggwan Kim
;
Haewang Lee
;
Seokkiu Lee
;
Jaesung Roh
;
Daegwan Kang
;
Jinwon Park
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
22.
Post soft breakdown conduction in SiO
2
gate oxides
机译:
SiO
2 sub>栅氧化物中的软击穿后传导
作者:
Sune J.
;
Miranda E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
23.
Improved external coupling efficiency in organic light-emittingdevices on high-index substrates
机译:
改善了有机发光的外部耦合效率高折射率基材上的设备
作者:
Lu M.-H.
;
Madigan C.F.
;
Sturm J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
24.
Application of metal-induced unilaterally crystallizedpolycrystalline silicon thin-film transistor technology to active-matrixorganic light-emitting diode displays
机译:
金属诱导的单晶结晶的应用多晶硅薄膜晶体管技术应用于有源矩阵有机发光二极管显示器
作者:
Zhiguo Meng
;
Haiying Chen
;
Chengfeng Qiu
;
Liduo Wang
;
Kwok H.S.
;
Man Wong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
25.
Impact of recoiled-oxygen-free processing on 1.5 nm SiONgate-dielectric in sub-100 nm CMOS technology
机译:
无反冲氧工艺对1.5 nm SiON的影响低于100 nm CMOS技术的栅极电介质
作者:
Togo M.
;
Mogami T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
26.
High sensitivity and no-cross-talk pixel technology for embeddedCMOS image sensor
机译:
高灵敏度,无串扰的嵌入式像素技术CMOS图像传感器
作者:
Furumiya M.
;
Ohkubo H.
;
Muramatsu Y.
;
Kurosawa S.
;
Nakashiba Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
27.
Gate length scaling and threshold voltage control of double-gateMOSFETs
机译:
双栅极的栅极长度定标和阈值电压控制场效应管
作者:
Chang L.
;
Tang S.
;
Tsu-Jae King
;
Bokor J.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
28.
Simulation of Si-SiO
2
defect generation in CMOS chips:from atomistic structure to chip failure rates
机译:
CMOS芯片中Si-SiO
2 sub>缺陷产生的仿真:从原子结构到芯片故障率
作者:
Hess K.
;
Haggag A.
;
McMahon W.
;
Fischer B.
;
Cheng K.
;
Lee J.
;
Lyding J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
29.
Source/drain engineering for sub-100 nm CMOS using selectiveepitaxial growth technique
机译:
使用选择性的亚100 nm CMOS的源/漏工程外延生长技术
作者:
Hokazono A.
;
Ohuchi K.
;
Miyano K.
;
Mizushima I.
;
Tsunashima Y.
;
Toyoshima Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
30.
Enhanced secondary electron injection in novel SiGe flash memorydevices
机译:
新型SiGe闪存中增强的二次电子注入设备
作者:
Kencke D.L.
;
Xin Wang
;
Ouyang Q.
;
Mudanai S.
;
Tasch A. Jr.
;
Banerjee S.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
31.
Novel capacitor technology for high density stand-alone andembedded DRAMs
机译:
新型电容器技术可实现高密度独立式和嵌入式DRAM
作者:
Yeong Kwan Kim
;
Seung Hwan Lee
;
Sung Je Choi
;
Hong Bae Park
;
Young Dong Seo
;
Kwang Hyun Chin
;
Dongchan Kim
;
Jae Soon Lim
;
Wan Don Kim
;
Kab Jin Nam
;
Man-Ho Cho
;
Ki Hyun Hwang
;
Young Sun Kim
;
Seok Sik Kim
;
Young Wook Park
;
Joo Tae Moon
;
Sang In Lee
;
Moon Yong Lee
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
32.
Throughput enhancement strategy of maskless electron beam directwriting for logic device
机译:
无掩模电子束直接通过的吞吐量增强策略为逻辑设备编写
作者:
Inanami R.
;
Magoshi S.
;
Kousai S.
;
Hmada M.
;
Takayanagi T.
;
Sugihara K.
;
Okumura K.
;
Kuroda T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
33.
80 nm polysilicon gated n-FETs with ultra-thinAl
2
O
3
gate dielectric for ULSI applications
机译:
具有超薄特性的80 nm多晶硅栅极n-FET用于ULSI应用的Al
2 sub> O
3 sub>栅极电介质
作者:
Buchanan D.A.
;
Gusev E.P.
;
Cartier E.
;
Okorn-Schmidt H.
;
Rim K.
;
Gribelyuk M.A.
;
Mocuta A.
;
Ajmera A.
;
Copel M.
;
Guha S.
;
Bojarczuk N.
;
Callegari A.
;
DEmic C.
;
Kozlowski P.
;
Chan K.
;
Fleming R.J.
;
JAmison P.C.
;
Brown I.
;
Arndt R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
34.
Microwave performance of AlGaN/GaN metal insulator semiconductorfield effect transistors
机译:
AlGaN / GaN金属绝缘体半导体的微波性能场效应晶体管
作者:
Chumbes E.M.
;
Smart J.A.
;
Prunty T.
;
Shealy J.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
35.
Low temperature (800° C) recessed junction selectivesilicon-germanium source/drain technology for sub-70 nm CMOS
机译:
低温(800°C)嵌入式结选择低于70 nm CMOS的硅锗源/漏技术
作者:
Gannavaram S.
;
Pesovic N.
;
Ozturk C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
36.
Modeling of arsenic transient enhanced diffusion and backgroundboron segregation in low-energy As+ implanted Si
机译:
砷瞬态增强扩散和背景的建模低能As + sup>注入硅中的硼偏析
作者:
Ryangsu Kim
;
Aoki T.
;
Hirose T.
;
Furuta Y.
;
Hayashi S.
;
Shano T.
;
Taniguchi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
37.
Band diagram and carrier conduction mechanism inZrO
2
/Zr-silicate/Si MIS structure fabricated bypulsed-laser-ablation deposition
机译:
能带图和载流子传导机理ZrO
2 sub> / Zr-硅酸盐/ Si MIS结构的制备脉冲激光烧蚀沉积
作者:
Yamaguchi T.
;
Satake H.
;
Fukushima N.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
38.
Ensemble Monte Carlo/molecular dynamics simulation of gate remotecharge effects in small geometry MOSFETs
机译:
集成蒙特卡罗/门遥控器的分子动力学模拟小型几何MOSFET中的电荷效应
作者:
Kawashima I.
;
Kamakura Y.
;
Taniguchi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
39.
Three dimensional CMOS integrated circuits on large grainpolysilicon films
机译:
大晶粒上的三维CMOS集成电路多晶硅膜
作者:
Chan V.W.C.
;
Chan P.C.H.
;
Chan M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
40.
GaAs Schottky wrap-gate binary-decision-diagram devices forrealization of novel single electron logic architecture
机译:
GaAs肖特基自动闸门二进制决策图器件新型单电子逻辑架构的实现
作者:
Kasai S.
;
Amemiya Y.
;
Hasegawa H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
41.
High temperature operated (~250 K) photovoltaic-photoconductive(PV-PC) mixed-mode InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector
机译:
高温(〜250 K)光电光电导(PV-PC)混合模式InAs / GaAs量子点红外光电探测器
作者:
Shiang-Feng Tang
;
Shih-Yen Lin
;
Si-Chen Lee
;
Chieh Hsiung Kuan
;
Ya-Tung Cherng
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
42.
Improvement of thermal stability of via resistance in dualdamascene copper interconnection
机译:
改善双通道过孔电阻的热稳定性镶嵌铜互连
作者:
Oshima T.
;
Tamaru T.
;
Ohmori K.
;
Aoki H.
;
Ashihara H.
;
Saito T.
;
Yamaguchi H.
;
Miyauchi M.
;
Torii K.
;
Murata J.
;
Satoh A.
;
Miyazaki H.
;
Hinode K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
43.
Impact of process scaling on 1/f noise in advanced CMOStechnologies
机译:
工艺扩展对高级CMOS中1 / f噪声的影响技术
作者:
Knitel M.J.
;
Woerlee P.H.
;
Scholten A.J.
;
Zegers-Van Duijnhoven A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
44.
Voltage-dependent voltage-acceleration of oxide breakdown forultra-thin oxides
机译:
氧化物击穿的电压相关电压加速超薄氧化物
作者:
Wu E.Y.
;
Aitken J.
;
Nowak E.
;
Vayshenker A.
;
Varekamp P.
;
Hueckel G.
;
McKenna J.
;
Harmon D.
;
Han L.-K.
;
Montrose C.
;
Dufresne R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
45.
All-polymer thin film transistors fabricated by high-resolutionink-jet printing
机译:
高分辨率制造的全聚合物薄膜晶体管喷墨印刷
作者:
Kawase T.
;
Sirringhaus H.
;
Friend R.H.
;
Shimoda T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
46.
Novel epitaxial p-Si-Si
1-y
C
y
/p-Siheterojunction bipolar transistors
机译:
新型外延p-Si / n-Si
1-y sub> C
y sub> / p-Si异质结双极晶体管
作者:
Singh D.V.
;
Hoyt J.L.
;
Gibbons J.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
47.
50-nm vertical sidewall transistors with high channel dopingconcentrations
机译:
具有高沟道掺杂的50nm垂直侧壁晶体管浓度
作者:
Schulz T.
;
Rosner W.
;
Risch L.
;
Langmann U.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
48.
ESD protection scheme using CMOS compatible vertical bipolartransistor for 130 nm CMOS generation
机译:
使用CMOS兼容的垂直双极性的ESD保护方案用于130 nm CMOS生成的晶体管
作者:
Okushima M.
;
Noguchi K.
;
Sawahata K.
;
Suzuki H.
;
Kuroki S.
;
Koyama S.
;
Ando K.
;
Ikezawa N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
49.
Low temperature poly-Si TFT-electrophoretic displays (TFT-EPDs)with four level gray scale
机译:
低温多晶硅TFT电泳显示器(TFT-EPD)四级灰度
作者:
Inoue S.
;
Sadao K.
;
Ozawa T.
;
Kobashi Y.
;
Kawai H.
;
Kitagawa T.
;
Shimoda T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
50.
Highly manufacturable 4 Gb DRAM using using 0.11 μm DRAMtechnology
机译:
使用0.11μmDRAM的高度可制造4 Gb DRAM技术
作者:
Jeong H.S.
;
Yang W.S.
;
Hwang Y.S.
;
Cho C.H.
;
Park S.
;
Ahn S.J.
;
Chun Y.S.
;
Shin S.H.
;
Song S.H.
;
Lee J.Y.
;
Jang S.M.
;
Lee C.H.
;
Jeong J.H.
;
Cho M.H.
;
Lee J.K.
;
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
51.
Mechanically temperature-compensated flexural-mode micromechanicalresonators
机译:
机械温度补偿的弯曲模式微机械共振器
作者:
Wan-Thai Hsu
;
Clark J.R.
;
Nguyen C.T.-C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
52.
Impact of 0.10 μm SOI CMOS with body-tied hybrid trenchisolation structure to break through the scaling crisis of silicontechnology
机译:
0.10μmSOI CMOS与贴体混合沟槽的影响隔离结构突破硅的规模危机技术
作者:
Hirano Y.
;
Matsumoto T.
;
Maeda S.
;
Iwamatsu T.
;
Kunikiyo T.
;
Nii K.
;
Yamamoto K.
;
Yamaguchi Y.
;
Ipposhi T.
;
Maegawa S.
;
Inuishi M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
53.
High performance 0.25-um CMOS color imager technology withnon-silicide source/drain pixel
机译:
高性能0.25um CMOS彩色成像技术非硅化物源/漏像素
作者:
Shou-Gwo Wuu
;
Dun-Nian Yaung
;
Chien-Hsien Tseng
;
Ho-Ching Chien
;
Wang C.S.
;
Yean-Kuen Hsiao
;
Chin-Kung Chang
;
Chang B.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
54.
Phase shift lithography in the manufacture of sub-120 nmlow-voltage DSP circuits
机译:
120 nm以下制造中的相移光刻低压DSP电路
作者:
Kizilyalli I.C.
;
Watson G.P.
;
Kohler R.A.
;
Nalamasu O.
;
Harriott L.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
55.
Metamorphic HFETs on GaAs with InP-subchannels for deviceperformance improvements
机译:
带有InP子通道的GaAs上的变质HFET性能提升
作者:
Gassler C.
;
Ziegler V.
;
Wolk C.
;
Deufel R.
;
Berlec F.-J.
;
Kab N.
;
Kohn E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
56.
Effect of via separation and low-k dielectric materials on thethermal characteristics of Cu interconnects
机译:
通孔分离和低k介电材料对半导体的影响铜互连的热特性
作者:
Ting-Yen Chiang
;
Banerjee K.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
57.
Highly reliable gate oxide under Fowler-Nordheim electron injectionby deuterium pyrogenic oxidation and deuterated poly-Si deposition
机译:
在Fowler-Nordheim电子注入下高度可靠的栅极氧化物氘热解氧化和氘化多晶硅沉积
作者:
Mitani Y.
;
Satake H.
;
Itoh H.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2000. IEDM Technical Digest. International》
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