1.3μmInGaAsP/InP双异质结侧面发光二极管的研制

摘要

本文报导了1.3μmInGaAsP/InP双异质结侧面发光二极管的制备及器件特性。该器件在150mA直流工作电流下,输出功率大于1mW,尾纤输出功率大于30μW,最大可达56μW,调制带宽大于90MHz,加速老化实验外推的工作寿命大于10~4小时。