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赵蔚; 高鼎三;
不详;
发光二极管; 光通信系统; 调制带宽;
机译:台面结构中单个InAs / InP量子点在1.3-1.55μm谱带中激子跃迁的观察
机译:InP(411)A衬底上生长的1.3-1.5μm波长GaAs / InAs超晶格量子点发光二极管
机译:高输出功率GaInAsP / InP超发光二极管,功耗为1.3μm
机译:GaAs-InAs短周期超晶格/ InP(411)A自形成量子点发光二极管,发光1.3-1.5 / splμ/ m
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:InP / ZnS核/壳量子点的绿色合成用于无重金属的发光二极管
机译:Inp的离子束刻蚀及其在高辐射InGaasp / Inp发光二极管制备中的应用
机译:采用Inp台面DHBT技术,在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器
机译:台面GaInAsP / InP分布式反馈激光器的制造工艺
机译:InP / ZnS-InP / ZnS-用其制造InP / ZnS核壳量子点和InP / ZnS核壳量子点的方法
机译:InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法
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