1．3μmInGaAsP／InP涂层结构超辐射发光二极管输出特性的理论和实验

摘要

本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程，对减反射涂层结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的输出特性进行了计算，给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的变化。计算结果与我们制备的该结构超辐射发光二极管测试结果有较好的符合。