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马东阁; 石家纬;
中国通信学会;
发光二极管; 涂层; 电流密度;
机译:1.3 / spl mu / m垂直腔激光的高反射InGaAsP / InP多层布拉格反射镜的气源分子束外延和光学特性
机译:InP(411)A衬底上生长的1.3-1.5μm波长GaAs / InAs超晶格量子点发光二极管
机译:高输出功率GaInAsP / InP超发光二极管,功耗为1.3μm
机译:GaAs-InAs短周期超晶格/ InP(411)A自形成量子点发光二极管,发光1.3-1.5 / splμ/ m
机译:分子束外延生长的III族氮化物纳米线紫外发光二极管的均相和电流注入研究与工程
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:具有超腔旋转分布模式的极化电流产生的非球形衰减辐射的光谱和极化特性。
机译:氢注入1.3(微米)垂直腔表面发射激光器,带有电介质和晶片键合Gaas / alas反射镜
机译:具有机械功能转换以改变颜色和辐射特性的光的反射器具有反射器段,该段反射器影响与刚性部件相连的辐射特性
机译:反射器天线(天线)的辐射特性控制具有固定的可控制辐射器元件,这些元件会影响反射器和子反射器之间的辐射路径
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