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Method for manufacturing double heterojunction type light emitting diode having junction current confined region

机译：具有结电流限制区的双异质结型发光二极管的制造方法

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  • 公开/公告号KR900004045A

    专利类型

  • 公开/公告日1990-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 김용원;

    申请/专利号KR19880010134

  • 发明设计人 김용원;

    申请日1988-08-09

  • 分类号H01L33/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 06:12:43

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