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机译:施加大电流脉冲的InGaAsP / InP双异质结构发光二极管和GaAlAs双异质结构发光二极管的灾难性退化机理
机译:具有交错排列的基极-集电极结的无阻集电极InP / GaAs / sub 0.51 / Sb / sub 0.49 // InP双异质结双极晶体管
机译:CBE生长的具有In InGaAs / InP超晶格基极-集电极结的高f / sub max / InP双异质结双极晶体管
机译:俄歇复合对1.3 µm双异质结GaInAsP / InP发光二极管的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有19.2%效率的InP异质结太阳能电池电子选择性TiO2触点
机译:使用InP-GaAsSb-InP双异质结双极晶体管测量磷化铟的电子引发的碰撞电离系数
机译:Inp / Gaassb / Inp双异质结双极晶体管。
机译:INP / GAINASP双异质激光二极管,包含在双通道基板上的内置封闭式P-N结,具有潜伏的有源层,并且通过单步液相定律生产
机译:aipsb / inp simple--用于高速和高功率应用的异质结双极晶体管inp基板
机译:InP衬底上的AlPSb / InP单异质结双极晶体管,用于高速,高功率应用
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