GaAsSb／InP异质结晶体三极管

摘要

当x～0．5时，GaAs1－xSbx的晶格与InP衬底匹配，其带隙为0．72 eV，可用于InP衬底上的异质结晶体三极管的基区材料。最近的实验结果表明GaAs0．5Sb0．5／InP的能带为Ⅱ型异质结构：GaAs0．5Sb0．5的导带位于InP导带之上180 meV，其价带位于InP价带之上760　meV，该价带偏置几乎是InGaAs／InP（378 meV）的两倍，这种大的价带偏置有效地阻止了空穴重注入到发射区，并且更重要的是其导带偏置使得电子以弹道方式从GaAs0．5Sb0．5基区发射到InP集电区。因此，从能带工程的角度分析，GaAs0．5Sb0．5是制作基于InP衬底的异质结晶体管(HBT)的理想基区材料。本文简要报道采用金属有机气相外延(MOVPE)生长GaAsSb／InP HBT器件材料。