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魏艳萍; 卢焕明; 魏安祥; 李勇;
中国科学院宁波材料技术与工程研究所;
扫描探针显微镜; Pb(Zr; Ti)O3铁电薄膜; 铁电畴; 导电性;
机译:(Bi,La)_4Ti_3O_(12)/ Pb(Zr,Ti)O_3叠栅绝缘子的铁电栅薄膜晶体管的电学性质和界面电荷陷阱密度
机译:外延5和9nm厚的Pb(Zr,Ti)O_3超薄薄膜的铁电和局部电流的扫描探针显微镜观察
机译:氢对铁电Pb(Zr,Ti)O_3薄膜电学和光学性质的影响
机译:通过扫描探针显微镜研究PB(Zr,Ti)O_3薄膜的极化和弛豫研究
机译:PLZT [(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜的制备方法及其电学和光学性质的研究。
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:Pb(Zr_1_-XTi_X)O_3(PZT)铁电薄膜的制造方法
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