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魏艳萍; 卢焕明; 魏安祥; 李勇;
中国科学院宁波材料技术与工程研究所;
扫描探针显微镜; Pb(Zr; Ti)O3铁电薄膜; 铁电畴; 导电性;
机译:(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3和Pb(Nb,Zr,Sn,Ti)O3反铁电薄膜通过溶胶-凝胶法沉积在LaNiO3缓冲硅衬底上的相变行为
机译:沉积在LaNiO3 sub>缓冲硅上的(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3 sub>和Pb(Nb,Zr,Sn,Ti)O3 sub>反铁电薄膜的相变行为溶胶-凝胶法处理基材
机译:(111)优选取向PbZr0.53Ti0.47O3 / Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)(0.62)Ti0.38O3 / PbZr0.53Ti0.47O3三层膜的介电和铁电性能
机译:扫描探针显微镜通过扫描PB(Zr,Ti)O3薄膜的极化和弛豫研究
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜中铁电和光学性质的厚度依赖性
机译:用扫描探针显微镜研究pb(Zr,Ti)O3薄膜的极化和弛豫
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
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