法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B05D 1/38 授权公告日:20090204 终止日期:20111129 申请日:20051129
专利权的终止
2009-02-04
授权
授权
2007-08-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-06-13
公开
公开
机译: A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译: A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译: A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用