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马建华; 孟祥建; 孙璟兰; 褚君浩;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;
PLZT薄膜; 中间温度预退火; 晶型结构; 铁电性能;
机译:BiFeO3掺杂对溶胶-凝胶法制备的Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO3-BaTiO3基薄膜铁电性能的影响
机译:结晶温度对MOD法制备Bi_(3.250Eu_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的微观结构和铁电性能的影响
机译:结晶温度对MOD法制备Bi3.25Eu0.75Ti3O12薄膜组织和铁电性能的影响
机译:脉冲激光沉积制备Ba1-xSrxTiO3薄膜的介电和铁电性能
机译:LN型ZnSnO3纳米结构的合成,表征和铁电性能。
机译:理想原子层沉积Al2O3隧道开关层改善了掺Mg的LiNbO3薄膜的铁电性能
机译:化学沉积法制备mn掺杂0.7BiFeO3-0.3BaTiO3薄膜的铁电性能改善
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:BiFeO3-BaTiO3的制备方法,用于制备具有改善的压电和铁电性能的BiFeO3-BaTiO3陶瓷和由此制备的无铅压电陶瓷
机译:具有增强的压电和铁电性能的BiFeO3-BaTiO3陶瓷的制造方法以及使用相同方法制造的无铅压电陶瓷
机译:具有改善的铁电性能的PVDF-TrFE共聚物,制备具有改善的铁电性能的PVDF-TrFE共聚物的方法以及改变PVDF-TrFE共聚物端基的方法
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