BiFeO3薄膜的sol-gel制备及其铁电性能研究

摘要

采用sol-gel方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出了(100)择优取向的BiFeO3薄膜.XRD研究表明,600～650 ℃退火的薄膜结晶较好.AFM形貌显示,650 ℃退火的薄膜中等轴状晶粒大小均匀(直径100～150 nm),薄膜较为致密.电学性能测量结果表明,650 ℃退火、厚度为840 nm的薄膜的2Pr值为2.8 mC/cm2;在50 kV/cm外加电场下,漏电流为2.7×10-5 A/cm2.电流-电压特性显示,在欧姆区之上,薄膜的主要导电机制为波尔-弗兰克尔发射导电.