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一种BiFeO3薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供一种BiFeO3薄膜及其制备方法,所述BiFeO3薄膜包括BiFeO3纳米点,所述BiFeO3纳米点包括菱形相/四方相混合相和纯四方相,其中菱形相/四方相混合相的比例为50~80%。所述BiFeO3薄膜的制备方法包括以下步骤:(1)在单晶衬底上外延生长一底电极层,然后在底电极层上外延生长一BiFeO3层,最后在BiFeO3层表面铺上一单层聚苯乙烯小球;(2)使用氧等离子分割单层聚苯乙烯小球;(3)使用氩离子束刻蚀BiFeO3层;(4)使用氯仿去除单层聚苯乙烯小球,得到BiFeO3薄膜。本发明将BiFeO3层刻蚀成纳米点来诱导相变,通过使用不同直径的聚苯乙烯小球,可以得到直径不同纳米点,通过控制氩离子束刻蚀时间可以得到不同的刻蚀深度,从而达到精准可控的目的,同时不破坏样品。

著录项

  • 公开/公告号CN108565336B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南师范大学;

    申请/专利号CN201810200682.9

  • 申请日2018-03-12

  • 分类号H01L43/10(20060101);H01L43/12(20060101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构44425 广州骏思知识产权代理有限公司;

  • 代理人潘雯瑛

  • 地址 510006 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院

  • 入库时间 2022-08-23 12:54:23

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