,漏电流为2×10<'-10>A/cm<'2>(在250kV/cm电场下测得),极化疲劳特性明显改善(经过10<'9>次极化'/>
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于艳菊; 王福平; 赵连城;
中国材料研究学会;
铁电薄膜; 锆钛酸铅; 稀土元素; 掺杂改性;
机译:三明治结构PbZr {sub} 0.52Ti {sub} 0.48O {sub} 3 / Pb(Mg {sub}(1/3)Ta {sub}(2/3)){sub} 0.7Ti {sub}的铁电行为0.3O {sub} 3 / PbZr {sub} 0.52Ti {sub} 0.48O {sub} 3薄膜
机译:稀土Eu掺杂对PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3薄膜铁电性能的影响
机译:多层PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3 / Pb(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_(0.7)Ti_(0.3)O_3 / PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3的铁电和导电行为电影
机译:稀土Gd掺杂对通过溶胶 - 凝胶方法制备的PBZR_(0.52)Ti_(0.48)O_3薄膜铁电性能的影响
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:具有可调谐应用的PbZr0.52Ti0.48O3 / Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7组成层的多层薄膜
机译:溶胶-凝胶法稀土稀土掺杂对PbZr0.52Ti0.48O3薄膜铁电性能的影响
机译:具有Er掺杂In(0.52)al(0.48)作为缓冲层的0.1微米栅极In(0.3)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp mODFET的背栅特性
机译:半导体纳米异质结构In0.52Al0.48As / InXGa1-XAs C复合有源区In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As C两次插入InAs
机译:低压操作铁电体PbZr1-xTix03薄膜的定向菱面体成分
机译:用于低压操作铁电RAM的PbZr1-xTixO3薄膜的定向菱面体成分
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