蒙特卡罗模拟Si＋注入Si3N4／GaAs的射程分布和损伤分布

摘要

用蒙特卡罗方法模拟Ｓｉ＾＋注入Ｓｉ３Ｎ４／ＧａＡｓ的力学运动，以考察沉积在ＧａＡｓ材料表面的无定形Ｓｉ３Ｎ４阻挡层对Ｓｉ＾＋射程分布的影响。模拟计算和实验结果都表明，Ｓｉ３Ｎ４阻挡层能够有效地削减Ｓｉ＾＋在ＧａＡｓ衬底中的射程，避免沟道效应，得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Ｓｉ、Ｎ原子由于与入射的Ｓｉ＾＋相互碰撞反冲进入ＧａＡｓ衬底。