一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极，以n型GaAs作为衬底层，首先在该衬底层上顺序生长Al组分由0开始呈线性递增和n型掺杂浓度按指数递减的n型变带隙AlGaAs电子提供层，再依次生长n型AlGaAs电子提供层、p型AlGaAs电子注入层，随后生长Al组分由高到低呈线性递减至0和p型掺杂浓度按指数递增的p型变带隙AlGaAs电子发射层，最后依次生长p型GaAs电子发射层、As保护层。该阴极利用了晶体管的电子注入和变带隙AlGaAs的内建电场，实现了一种不同于传统光电发射的电子发射形式—无需激发光源的电注入电子发射。