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钮利荣; 杨端良;
南京电子器件研究所;
注入; 退火; 包封; 硅; 砷化镓; 二氧化硅;
机译:放射性氧在高纯非晶态SIO2的X射线产生和缺陷热退火中的作用
机译:注入原子在ZnO中动态缺陷退火中的关键作用
机译:质子注入可有效地电隔离InP,InGaAs和GaAs:可变剂量和注入温度的作用
机译:GaAs / AlGaAs双极晶体管波导结构载流子注入的光调制器/开关查看用法统计
机译:通过氧化物自旋注入器将室温电自旋注入GaAs
机译:通过在植入氮离子和随后的退火中形成GaAs结构的缺陷和覆盖的GaAs结构缺陷。随后的退火
机译:离子注入Gaas中Cr结构缺陷 - 氧相互作用的直接证据
机译:它在其他Si,SixGe1-x和GaAs上的半导体中的应用排列很长,包含SiO2的外延氧化物,一种合成材料
机译:SI,SIXGE1-X,GAAS和其他半导体上的长距离有序和环氧混合氧化物,包括SIO2,材料合成及其应用
机译:Si,SixGe1-x,GaAs和其他半导体上的长径有序和环氧混合氧化物,包括SiO2,材料合成及其应用
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