热退火中横向扩散对InAs/GaAs量子点发光特性的研究

摘要

系统地研究了快速热退火对带有3个纳米In<,x>Ga<,1-x>As(x=0,0.1,0.2)盖层的3纳米主高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的.但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分.我们的实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用.另外,我们在较高的退火温度观测到InGaAs的发光峰.