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姚志斌; 何宝平; 张凤祁; 郭红霞; 罗尹虹; 王圆明; 张科营;
西北核技术研究所,西安,710613;
FPGA; 辐照效应; 总剂量效应;
机译:深亚微米SRAM电路中最坏情况下的总剂量辐射效应
机译:基于SRAM的FPGA重新配置过程中的辐射引起的单事件瞬态效应
机译:质子诱导的基于SRAM的FPGA的I / O块中的辐射效应
机译:可配置的SRAM宏设计可抵抗总剂量效应
机译:通过放置和路由改善SRAM FPGA上三重模块化冗余的单个事件效应
机译:使用基于SRAM的FPGA进行功率感知的高性能无线传感器网络
机译:减轻空间应用中基于SRAM的FPGA中的辐射效应
机译:在总剂量环境中提高sRam性能的电路方法
机译:SRAM阵列,SRAM单元,微处理器,方法和SRAM存储器(包含逻辑部分的SRAM存储器和微处理器在高性能硅基板和SRAM阵列部分上实现,其中包括场效应晶体管具有链接的主体和方法)
机译:当不使用FPGA时,FPGA的SRAM关断电路可以节省功耗
机译:低功率,P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)SRAM单元
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