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冯斌; 廖克俊;
重庆大学应用物理系;
CVD法; 金刚石膜; 核密度; 发射电子;
机译:射频负偏压对沉积在有机光电导体上的类金刚石硬碳膜的电子照相性能的影响
机译:预处理偏压通过偏压成核和生长对超纳米晶金刚石膜成核和生长机理的影响:一种通过化学键映射法进行界面化学分析的方法
机译:预处理偏压通过偏压增强的成核和生长对超纳米晶金刚石膜成核和生长机制的影响:一种通过化学键映射进行界面化学分析的方法
机译:使用负偏压辅助CVD在硅基衬底上氮化钛的多晶金刚石的生长
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:有趣的SrTiO3衬底上BiFeO3 / La2 / 3Sr1 / 3MnO3薄膜中交换偏压的光控制
机译:大面积硅衬底上的CVD金刚石生长大面积硅衬底上的CVD金刚石生长
机译:在低地球轨道上的高压太阳能阵列上由于负偏压电弧引起的电路瞬变
机译:在硅衬底上生长金刚石膜,并在衬底上施加偏压;棋盘格图案
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:为在具有金刚石和碳化硅层的复合衬底上外延生长III族氮化物而准备的晶片前驱体以及在其上形成的半导体激光器
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