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负偏压对M0衬底上生长金刚石膜的影响

         

摘要

研究用热灯丝化学气相沉积(HFCVD)法在M0衬底上生长多晶金刚石膜。实验研究表明,负偏压对金刚石膜生长的影响十分显著。这是角偏压极大地形影响了金刚石的核密度引起的,研究表明,来自金刚石的发射电子对气体分子的撞击,加速了CH4,H2分子离化,在衬底表面附近形成了一等离子体区,使M0衬底上金刚石的核密度可达10^9cm^-2。

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