负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究

摘要

本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Ｓｉ（１００）衬底上热灯丝金刚石膜成核过程。在－２４０Ｖ和２５０ｍＡ下，在镜面抛光的Ｓｉ（１００）衬底上金刚石最大成核密度超过了１０１０ｃｍ－２。研究表明，负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果。