负偏压热灯丝CVD金刚石膜核化和早期生长的研究

摘要

利用扫描电子显微镜，Ｒａｍａｎ谱和Ｘ射线光电子能谱，研究了Ｓｉ衬底上灯热灯丝ＣＶＤ金刚石膜的核化和早期生长，在－３００Ｖ和１００ｍＡ条件下预自理５ｍｉｎ，镜面抛光的Ｓｉ（１００）表面上金刚石核密度超过了１０＾９ｃｍ＾－２，但是核的分布极不均匀且可分为三个区域；：Ａ区，边缘处以锥体为主；Ｂ区，位于边和中心之间过渡区是纳米金刚石；Ｃ区，中心处有ＳｉＣ层，无偏压下生长４ｈ后，Ａ区形成许多大而弧立的金刚石