CVD法

摘要： 石墨烯以其优异的化学稳定性和不透过性被认为是最具潜力且已知最薄的防腐材料。化学气相沉积法(CVD)常用来制备大面积和高品质的石墨烯薄膜,但研究人员发现CVD法生长石墨烯的过程中不可避免地会引入不同类型和不同尺寸的本征缺陷,如空位、针孔、裂纹和石墨烯岛晶界等。

摘要： 介绍了采用不同原材料由一步法工艺所制备的石英玻璃的方法及其光学性能与杂质含量,基于羟基含量高、尺寸小等缺点,通过优化工艺,以两步法(沉积、脱羟烧结)制备的石英玻璃更具有优良的性能.检测结果表明,两步法气相沉积工艺制备的石英玻璃具有更低的羟基含量≤1×10-6,以及良好的透过率85％以上,完全满足高端光电技术领域的应用需求.

摘要： 人造金刚石主要产品包括工业金刚石和培育钻石,两类产品均由同样的压机生产,只是工艺配方有所不同,在工业金刚石领域,不同的技术路径对应的主要应用场景也有所不同,其中高温高压法生产的金刚石单晶及微粉多用于制作锯切、钻进、磨削等工具性产品,CVD法生产的金刚石单晶多用于制作芯片、传感器等功能性产品。我国为全球最大人造金刚石生产国,掌握高温高压工业级金刚石定价权。

摘要： 化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术，具有制备温度低、所得材料均匀致密、可实现近尺寸成型等优点，是制备功能材料的常用方法之一。本文综述了几种常见的CVD方法，如常压化学气相沉积(atmospheric pressure chemical vapor deposition，APCVD)、低压化学气相沉积（low pressure chemical vapor deposition，LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD）以及激光辅助化学气相沉积（laser assisted chemical vapor deposition，LACVD）；重点阐述了采用LPCVD在较低温度下制备SiCN陶瓷吸波剂的工艺参数，提出了LPCVD是制备新型吸波陶瓷的主要方法。%Chemical vapor deposition (CVD) is a new technology for preparing inorganic materials which possess some advantages, such as lower preparation temperature, uniform and compact microstructure, and near-size molding, so it is one of the common methods to prepare functional ceramics. In the paper, several common chemical vapor deposition methods like atmospheric chemical vapor deposition, low-pressure chemical vapor deposition, plasma-enhanced chemical vapor deposition and laser-assisted chemical vapor deposition are reviewed, because the microstructure and performance of functional ceramics are greatly influenced by their fabrication methods. In addition, the deposition parameters of Si-C-N absorbing ceramics which are deposited at lower temperature by low-pressure chemical vapor deposition are optimized. It is proposed that low-pressure chemical vapor deposition is the main method for preparing the advanced EMW absorbing ceramics.

摘要： 文详细介绍了商品SiC纤维的生产工艺,包括气相沉积(CVD)法以及聚合物先驱体法,并对这两种工艺特色进行了总结,同时也详细介绍了NASA对SiC纤维的改性工艺,对几种交联固化工艺作了简要介绍.最后概述了国内外SiC纤维发展现状以及前景展望.

摘要： Compared with GaN film,one-dimensional GaN nanomaterial has many advantages in manufacturing optoelectronic devices.This paper synthetically narrated the main preparation methods of one-dimensional GaN nanomaterial and its application of optoelectronics devices.Firstly,the preparation methods including MOCVD, MBE,CVD and template method were introduced.The key analysis is about the growth parameters,morpholo-gy and structure control of one-dimensional GaN nanomaterial.Secondly,the optoelectronic devices such as LED,laser,solar cell as well as photodetector were interpreted,and mainly discussed the influence of the mate-rial properties,device structures and manufacturing technology on the device performance.In the end,the de-velopment and future application of one-dimensional GaN nanomaterials are prospected.%一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势，本文主要论述一维 GaN 纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用 MOCVD、MBE、CVD 及模板法制备一维GaN纳米材料，重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维 GaN 纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态，讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。

摘要： 采用CVD法合成GaSb纳米线,并分析生长时间对其长度的影响,随后对其进行光学表征.实验过程中,分别采用喷金法和滴金法对硅片进行预处理,再置于相同条件下制备GaSb纳米线;之后对其进行表征分析,根据扫描电子显微镜(SEM)表征结果证实,两种方法制备的纳米线都满足VLS生长机制.且发现GaSb纳米线的生长长度,可以通过改变其生长时间来进行控制.通过该纳米线的透射电子显微镜图(TEM)、X射线衍射图(XRD)等结构表征,表明该纳米线为结晶品质优良的立方闪锌矿结构;同时,从GaSb纳米线的拉曼光谱(Raman)及光致发光谱(PL)可以反映该纳米线具有优良的光学性质.由此证明,采用CVD法制得的纳米线光学性质优异,且可以实现可控制备.

摘要： 以微晶纤维素为碳源,以二茂铁为催化剂前驱体,采用化学气相沉积法制备碳材料.在确定流量的氮气气氛中,考察了催化剂含量和反应时间对产物形貌的影响.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)及红外光谱仪(FT-IR)对产物的微观形貌和表面官能团进行了表征与分析.结果显示:当气体流速为0.15L/min,催化剂含量为5％(质量分数,下同),900°C反应2min时,产物为粒径在200～500nm表面光滑的微米球;催化剂含量为30％,900°C高温反应2min时,生成大量弯曲且相互缠绕的直径约30nm的碳纳米管.

摘要： 化学气相沉积（CVD，ChemicalVaporDeposition）是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术。CVD法是传统制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，

摘要： 兼具多种出色性能的神奇材料石墨烯，在传感器、透明触摸屏、光板、太阳能电池等诸多领域具有广泛的潜在应用，甚至有可能成为航空、航天、汽车、军事等领域的高性能复合材料。然而，要实现石墨烯的实际应用，首先需实现石墨烯的大规模、大面积和可控的制备。文章经研究得出，在众多制备方法当中，CVD法（化学气相沉积法）是最有可能实现这一目标的方法。%As a wonderful material with various amazing properties, graphene has a great number of promising applications, including sensors, transparent touch screens, light panels and solar cells, and it can even serve as high-performance composites to be applied in many fields including aviation, aerospace, vehicles and military, etc. However, to realize all these real world applications, it ’s of critical importance to achieve large-area controllable graphene production. The article reach the conclusion after research that among many existing graphene preparation methods, chemical vapor deposition (CVD) method is of great potential to achieve this goal.

摘要： 自从1991年Iijima发现碳纳米管(CNTs)以来，由于CNTs 独特的物理化学性质, 它的制备、表征、 应用和机理研究成为了科学领域的研究热点。碳纳米管的制备方法较多，其中CVD法成本低、反应条件易于控制、制备的CNTs产率高、质量好，被认为是最有前景的大规模制备CNTs的方法。CVD 法制备CNTs常用担载金属型催化剂，用Fe、Co、Ni三种金属之一作为活性组分。陈萍等用Ni-MgO复 合氧化物为前驱体制备催化剂，Ni和Mg的原子半径接近形成NiMgO2固溶体，还原出来的高温下固溶 体还原得到很细的镍晶粒，催化形成的CNTs管径细、管壁薄、质量好，该催化剂的缺点是镍在固溶体结构中难以还原出来，因此单位质量催化剂上生产的CNTs的量较少，但经过研究发现：通过助剂的加入能有效的改进Ni/MgO催化剂中Ni的还原。

摘要： 自从1991年Iijima发现碳纳米管(CNTs)以来，由于CNTs 独特的物理化学性质, 它的制备、表征、 应用和机理研究成为了科学领域的研究热点。碳纳米管的制备方法较多，其中CVD法成本低、反应条件易于控制、制备的CNTs产率高、质量好，被认为是最有前景的大规模制备CNTs的方法。CVD 法制备CNTs常用担载金属型催化剂，用Fe、Co、Ni三种金属之一作为活性组分。陈萍等用Ni-MgO复 合氧化物为前驱体制备催化剂，Ni和Mg的原子半径接近形成NiMgO2固溶体，还原出来的高温下固溶 体还原得到很细的镍晶粒，催化形成的CNTs管径细、管壁薄、质量好，该催化剂的缺点是镍在固溶体结构中难以还原出来，因此单位质量催化剂上生产的CNTs的量较少，但经过研究发现：通过助剂的加入能有效的改进Ni/MgO催化剂中Ni的还原。

摘要： 自从1991年Iijima发现碳纳米管(CNTs)以来，由于CNTs 独特的物理化学性质, 它的制备、表征、 应用和机理研究成为了科学领域的研究热点。碳纳米管的制备方法较多，其中CVD法成本低、反应条件易于控制、制备的CNTs产率高、质量好，被认为是最有前景的大规模制备CNTs的方法。CVD 法制备CNTs常用担载金属型催化剂，用Fe、Co、Ni三种金属之一作为活性组分。陈萍等用Ni-MgO复 合氧化物为前驱体制备催化剂，Ni和Mg的原子半径接近形成NiMgO2固溶体，还原出来的高温下固溶 体还原得到很细的镍晶粒，催化形成的CNTs管径细、管壁薄、质量好，该催化剂的缺点是镍在固溶体结构中难以还原出来，因此单位质量催化剂上生产的CNTs的量较少，但经过研究发现：通过助剂的加入能有效的改进Ni/MgO催化剂中Ni的还原。

摘要： 自从1991年Iijima发现碳纳米管(CNTs)以来，由于CNTs 独特的物理化学性质, 它的制备、表征、 应用和机理研究成为了科学领域的研究热点。碳纳米管的制备方法较多，其中CVD法成本低、反应条件易于控制、制备的CNTs产率高、质量好，被认为是最有前景的大规模制备CNTs的方法。CVD 法制备CNTs常用担载金属型催化剂，用Fe、Co、Ni三种金属之一作为活性组分。陈萍等用Ni-MgO复 合氧化物为前驱体制备催化剂，Ni和Mg的原子半径接近形成NiMgO2固溶体，还原出来的高温下固溶 体还原得到很细的镍晶粒，催化形成的CNTs管径细、管壁薄、质量好，该催化剂的缺点是镍在固溶体结构中难以还原出来，因此单位质量催化剂上生产的CNTs的量较少，但经过研究发现：通过助剂的加入能有效的改进Ni/MgO催化剂中Ni的还原。

摘要： 以尿素和乙二醇为原料,不采用催化剂,在气压反应烧结炉中,以气压辅助CVD法大量合成碳微米管。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜及拉曼光谱对产品物相、形态和结构进行了分析和表征,结果表明,所制备的碳微米管长度达到毫米级别、管径分布均匀(-1μm)、管壁较薄(-5nm)、纯度高、具有较好的石墨多晶结构。

摘要： 以尿素和乙二醇为原料,不采用催化剂,在气压反应烧结炉中,以气压辅助CVD法大量合成碳微米管。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜及拉曼光谱对产品物相、形态和结构进行了分析和表征,结果表明,所制备的碳微米管长度达到毫米级别、管径分布均匀(-1μm)、管壁较薄(-5nm)、纯度高、具有较好的石墨多晶结构。

摘要： 以尿素和乙二醇为原料,不采用催化剂,在气压反应烧结炉中,以气压辅助CVD法大量合成碳微米管。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜及拉曼光谱对产品物相、形态和结构进行了分析和表征,结果表明,所制备的碳微米管长度达到毫米级别、管径分布均匀(-1μm)、管壁较薄(-5nm)、纯度高、具有较好的石墨多晶结构。

摘要： 以尿素和乙二醇为原料,不采用催化剂,在气压反应烧结炉中,以气压辅助CVD法大量合成碳微米管。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜及拉曼光谱对产品物相、形态和结构进行了分析和表征,结果表明,所制备的碳微米管长度达到毫米级别、管径分布均匀(-1μm)、管壁较薄(-5nm)、纯度高、具有较好的石墨多晶结构。

摘要： 本文以乙醇、硼粉为原料,铜箔为基底,采用化学气相沉积法制备B掺杂石墨烯,对金属型石墨烯进行P型半导体改性.通过对产物进行TEM、Raman、XPS、俄歇以及变温电阻等表征,分析了B掺杂后产物的结构及其电学特性,并使用B掺杂石墨烯与N型硅片相结合,制作了太阳能电池,获得了1.5%的转换效率.

摘要： 本文以乙醇、硼粉为原料,铜箔为基底,采用化学气相沉积法制备B掺杂石墨烯,对金属型石墨烯进行P型半导体改性.通过对产物进行TEM、Raman、XPS、俄歇以及变温电阻等表征,分析了B掺杂后产物的结构及其电学特性,并使用B掺杂石墨烯与N型硅片相结合,制作了太阳能电池,获得了1.5%的转换效率.

摘要： 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到所述废气通道上游侧，而且，等离子体生成装置安装在所述废气循环通道上。

摘要： 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到反应室。

摘要： 本发明提供一种CVD用气化器、溶液气化式CVD装置以及CVD用气化方法，能够抑制溶液配管等的阻塞而长时间连续的使用。本发明的CVD用气化器，包括复数个原料溶液用配管1、2，以相互隔离的方式供给复数个原料溶液；一载气用配管3，以包覆着上述复数个原料溶液用配管1、2的方式设置着，并且用来使加压的载气分别在上述复数个原料溶液用配管1、2各自的外侧流动；一细孔，设置于上述载气用配管3的前端，由上述原料溶液用配管1、2的前端被隔开；一气化管13，连接上述载气用配管3的前端，并且藉由上述细孔，连系着该载气用配管3的内部；一洗净机构，用来洗净该载气用配管3的前端、该细孔以及该气化管13之中至少一者；以及一加热装置(加热器)，用来加热上述气化管13。

摘要： 01(CVD111)和非01(CVD112和CVD112RM)血清型的无毒力霍乱弧菌菌株，其具有被缺失的霍乱毒素核心的DNA和霍乱毒素基因座的RSI序列，并进一步具有重新被插在染色体中的编码抗汞抗性的DNA，及编码霍乱毒素B亚基的DNA或其足以赋予免疫原性的部分。制造本发明的无毒力霍乱弧菌01和非01菌株的方法，及使用这些菌株的霍乱疫苗。

摘要： 与构成串联型薄膜硅太阳能电池的制造用的VHF等离子CVD装置的等离子产生源有关，其目的在于提供能够抑制驻波的影响以及在一对电极之间以外产生的有害等离子的产生、并且抑制供给电力的在这一对电极之间以外的消耗的大面积·均匀的VHF等离子CVD装置以及方法。该等离子CVD装置以及方法，其特征在于：具有下述结构，将配置于电极上的互相相对的位置的第1以及第2给电点之间的距离设定为使用电力的波长的二分之一的整数倍，通过供给从2台能够脉冲调制的相位可变2输出的高频电源输出的在时间上分离的脉冲电力，在时间上交替产生波腹的位置与该第1以及第2给电点的位置一致的第1驻波和波节的位置与该第1以及第2给电点的位置一致的第2驻波。

摘要： 等离子体CVD装置(10)具备：真空槽(21)，其划定存储成膜对象(S)的空间；储藏部(30)，其储藏不含氢的异氰酸酯基硅烷，在储藏部(30)内对异氰酸酯基硅烷进行加热，生成用于供给至真空槽(21)中的异氰酸酯基硅烷气体；配管(11)，其将储藏部(30)与真空槽(21)连接，用于将储藏部(30)生成的异氰酸酯基硅烷气体供给至真空槽(21)；温度调节部(12)，其将配管(11)的温度调节为83°C以上180°C以下；电极(22)，其配置在真空槽(21)内；以及电源(23)，其向电极(22)供给高频电力。在真空槽(21)中，在成膜对象(S)上形成氧化硅膜时，真空槽(21)内的压力为50Pa以上且小于500Pa。

摘要： 本发明提供一种CVD用气化器、溶液气化式CVD装置以及CVD用气化方法，能够抑制溶液配管等的阻塞而长时间连续的使用。本发明的CVD用气化器，包括复数个原料溶液用配管1、2，以相互隔离的方式供给复数个原料溶液；一载气用配管3，以包覆着上述复数个原料溶液用配管1、2的方式设置着，并且用来使加压的载气分别在上述复数个原料溶液用配管1、2各自的外侧流动；一细孔，设置于上述载气用配管3的前端，由上述原料溶液用配管1、2的前端被隔开；一气化管13，连接上述载气用配管3的前端，并且藉由上述细孔，连系着该载气用配管3的内部；一洗净机构，用来洗净该载气用配管3的前端、该细孔以及该气化管13之中至少一者；以及一加热装置(加热器)，用来加热上述气化管13。

摘要： 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到所述废气通道上游侧，而且，等离子体生成装置安装在所述废气循环通道上。

摘要： 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到反应室。

摘要： 01(CVD111)和非01(CVD112和CVD112RM)血清型的无毒力霍乱弧菌菌株，其具有被缺失的霍乱毒素核心的DNA和霍乱毒素基因座的RSI序列，并进一步具有重新被插在染色体中的编码抗汞抗性的DNA，及编码霍乱毒素B亚基的DNA或其足以赋予免疫原性的部分。制造本发明的无毒力霍乱弧菌01和非01菌株的方法，及使用这些菌株的霍乱疫苗。