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刘凤艳; 刘宇星; 刘敏蔷; 侯碧辉;
北京工业大学,应用数理学院,北京,100022;
金刚石膜; 硅衬底; 结合力;
机译:衬底偏压对甲烷和氩气等离子增强化学气相沉积法制备的类金刚石碳膜的结构,力学和摩擦学性能的影响
机译:偏压增强微波等离子体化学气相沉积法在镜面抛光硅衬底上沉积和表征纳米晶金刚石膜
机译:衬底偏压对通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备的类金刚石碳(DLC)和硅改性DLC膜的拉曼光谱和热稳定性的影响
机译:碳化在6H-SiC(0001)衬底上金刚石膜高取向生长过程中偏压增强形核步骤中的影响
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:有趣的SrTiO3衬底上BiFeO3 / La2 / 3Sr1 / 3MnO3薄膜中交换偏压的光控制
机译:在碳化钛(111)衬底上的高取向金刚石的偏压增强成核
机译:离子束增强了铁膜对蓝宝石衬底的附着力。
机译:在硅衬底上生长金刚石膜,并在衬底上施加偏压;棋盘格图案
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:金刚石结合体和具有增强的热稳定性和机械强度的紧凑型
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