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脉冲负偏压对热丝CVD金刚石膜形核及生长形貌的影响

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摘要

脉冲负偏压形核可增加衬底形核密度 ,最高可达 10 8/cm2 ,且晶核分布均匀。在此种晶核基础上生长的金刚石膜的微观形貌中 ,取向为 [10 0 ]面生长的晶粒较多

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来源
《信息技术》 |2000年第9期||共2页
作者
杨贵龙; 魏雪峰;
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作者单位

黑龙江省光电技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类基础理论;
关键词
脉冲负偏压; 形核; 100取向; CVD; 金刚石膜;

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